optek技術公司研制出op570系列的硅npn光電晶體管紅外探測器。這種探測器被封裝在0.10×0.08in的表面安裝型管殼內,并配有高性能的紅外透鏡。作為

法國ulissas公司向市場投放了一系列像元間距為25μm的硅紅外探測器。ul02152型探測器是一個160×120元的列陣,其熱時間常數<ms,占空因數

美國專利us7485870(2009年2月3日授權)本發明提供一種氣動型紅外探測器,它包括一個敏感腔和一個參考腔,它是通過測量其敏感腔的氣動膨脹來探測紅外輻射的。其原理是,敏感腔吸收紅外輻射能量后,其溫度上升,從而發生氣動膨脹。參考腔通過機械方法與敏感腔相連,它是用來控制敏感腔的氣動膨脹的。這種膨脹或者用電學方法探測,或者用光學方法探測。本專利說明書共33頁,其中有23張插圖。

半導體基中遠紅外探測器在成像、傳感、國家安全以及國防領域具有廣泛的應用背景。目前,在這個領域最主流的技術之一是量子阱紅外探測器(qwips)。傳統的量子阱紅外探測器往往存在較大的暗電流和較低的工作溫度等限制。量子級聯探測器(qcds)是一種新型的光伏型量子阱紅外探測器。其工作原理基于電子吸收光子后在量子阱的子帶間躍遷并且激發態電子通過人工設計的勢能階梯形成無需外加偏置電壓的定向輸運。這種基于新原理的紅外探測器一經出現便引起人們高度的關注并經歷了快速的發展。文中介紹了中國科學院半導體所在量子級聯探測器研究方面的最新成果。

本文簡單介紹了半導體量子點材料的基本性質及相應的紅外探測器的工作原理,并舉例討論了幾種典型的量子點紅外探測器的結構。最后,對量子點紅外探測器的主要優點進行了總結。

焦平面紅外探測器應用現狀 0引言 紅外探測器廣泛應用于軍事、科學、工農業生產和醫療衛生等各個領域，尤其在軍事領域， 紅外探測器在精確制導、瞄準系統、偵察夜視等方面具有不可替代的作用。近年來，紅外 探測器的需求不斷增加。據美國相關公司市場調研分析師預測，全球軍用紅外探測器需求 額有望在2020年達到163.5億美元，復合年均增長率為7.71%。 紅外探測器按探測機理可分為熱探測器和光子探測器，按其工作中載流子類型可以分為多 數載流子器件和少數載流子器件兩大類，按照探測器是否需要致冷，分為致冷型探測器和 非致冷型探測器。非致冷探測器目前主要是非晶硅和氧化釩探測器，致冷型探測器主要包 括碲鎘汞三元化合物、量子阱紅外光探測器ⅱ類超晶格等。 在過去的幾十年里，大量的新型材料、新穎器件不斷涌現，紅外光電探測器完成了第一代 的單元、多元光導器件向第二代紅外焦平面器件的跨越，目前正朝

紅外探測器安裝圖： 門磁安裝圖： 使用方法： ●首先把紅外探測器安裝在高約1.5~2.5米的地方，打開電源開關。安裝時， 應調整探測器的傾斜角度，以使其探測距離最遠。 ●按遙控器布防鍵，主機發出“嘀”聲，約延時20秒后探測器進入布防狀態， 有人進入監控區，主機即刻報警（人體橫切探測器走動時，靈敏度較高）。每 次觸發報警時間約為60秒，再次進入監控區，再次報警。 ●遇到緊急情況，按遙控器求救鍵，這時，探測器無論是處于布防或撤防狀態， 即刻緊急報警求救。 ●探測器處于報警狀態或緊急報警狀態時，按遙控器上的撤防鍵，則立即停止 報警，并且有人在監控區活動也不報警。 安裝指南： 1。探頭應避免直對門窗口，以免誤報； 2。應調整探測器的傾斜角度，以使其探測距離最遠； 3。探頭的菲妮爾透鏡應保持干凈，不能有遮擋物體； 4。探頭應遠離冷熱源，例如空調出風口、暖氣、冷氣機等 5

0引言在法國,碲鎘汞的研究與發展已經有25年多的歷史了,這項工作是該國sofradir工業集團公司和cea-leti公共實驗室之間通過大力協作進行的。為了縮短該技術推向市場的時間,sofradir工業集團公司和cea-leti在grenoble地區成立了一個聯合實驗室(defir)。目前在該地區大約有600人在從事紅外探測器的研制工作。碲鎘汞紅外探測器技術獲得良好評價已經

本發明提供一種被動紅外探測器．該探測器由兩個傳感器和一個評價電路組成．第一個傳感器(1)用于產生代表熱源與探測器背景環境之間溫差的紅外信號；第二個傳感器(3)用于敏感探測器的環境溫度；評

紅外探測器廣泛應用于多光譜成像系統中,文章提出并建立了一種紅外線陣時間延遲積分探測器的成像實驗系統,闡述了成像系統的工作原理,對影響成像質量的兩個主要因素電子穩像與自動對焦進行了深入分析。利用高精度直流測速機確定了轉臺轉速與探測器的行轉移頻率,采用卡爾曼濾波算法濾除了測速機帶來的噪聲,提高了速度匹配精度。在分析比較紅外相機四種檢焦方法的基礎上采用視頻信號幅度法進行檢調焦。在國家光學機械產品質量監督檢驗測試中心實地搭建了成像實驗系統,并分別對5.3,6.4和9.2mm寬度靶標成像。實驗結果表明,采集到的原始靶標紋理清晰,照相分辨率達到了每毫米11.3對線,達到了實驗預期目的。

紅外探測器分類及應用 紅外探測器是能對外界紅外光輻射產生響應的光電傳感器，是目前傳感器 領域發展的重點之一。利用它制成的探測器是軍事、氣象、農業、工業、醫學 等方面需要的設備，它涉及物理、材料等基礎科學和光學、機械、微電子和計 算機等多學科領域的綜合科學技術。 按照工作機理分類： 熱探測器和光子探測器的分類和特點 ·光子探測器：光子探測器的工作機理是利用入射光輻射的光子流與探測器材料 中的電子互相作用，從而改變電子的能量狀態，引起各種電學現象，這種現象 稱為光子效應。光子探測器有內光電和外光電探測器兩種，后者又分為光電 導，光生伏特，光電發射型，光磁電型等四種。 ·熱探測器：紅外熱探測器的工作原理是利用輻射熱效應。探測器件接收輻射能 量后引起溫度升高，再由接觸型測溫元件測量溫度改變量，從而輸出點型號。 熱探測器主要有四類：熱電堆，熱釋電型，和氣體型。 光子探測器和熱探測器的分類和

主動/被動紅外探測器 系統的基本組成紅外線報警器是利用紅外線的輻射和接收技校構成的報警 裝置。根據工作原理，又可分為主動式和被動式兩種類型。 （1）主動式紅外探測器 主動式紅外探測器是由收、發裝置兩部分組成。發射裝置向裝在幾米甚至于 幾百米遠的接收裝置輻射一束紅外線，當被遮斷時，接收裝置即發出報警信號， 因此，它也是阻擋式報警器，或稱對射式探測器。通常，發射裝置由多諧振蕩器、 波形變換電路、紅外發光管及光學透鏡等組成。振蕩器產生脈沖信號，經波形變 換及放大后控制紅外發光管產生紅外脈沖光線，通過聚焦透鏡將紅外光變為較細 的紅外光束，射向接收端。 接收裝置由光學透鏡、紅外光電管、放大整形電路、功率驅動器及執行機構 等組成。光電管將接收到的紅外光信號轉變為電信號，經整形放大后推動執行機 構啟動報警設備。主動式紅外報警器有較遠的傳輸距離，因紅外線屬于非可見光 源，入侵

異質結光敏晶體管(hpt)是一種具有內部電流增益的光電探測器,且與異質結雙極晶體管(hbt)的制作工藝完全兼容。利用超高真空化學氣相淀積(uhv/cvd)方法在hbt晶體管的基區和集電區間加入多層ge量子點材料作為光吸收區。tem和dcxrd測試結果表明,生長的多層ge量子點材料具有良好的晶體質量。為了提高hpt的發射極注入效率,采用高摻雜多晶硅作為發射極,并制作出兩端hpt型ge量子點探測器。室溫條件下的測試結果表明,hpt型量子點探測器具有低的暗電流密度和高的反向擊穿電壓。-8v偏壓下,hpt型量子點探測器在1.31μm和1.55μm處的響應度分別為4.47ma/w和0.11ma/w。與縱向pin結構量子點探測器相比,hpt型量子點探測器在1.31μm和1.55μm處的響應度分別提高了104倍和78倍。

紅外探測器是紅外成像技術的核心,直接影響著紅外成像系統的性能。在分析目標成像尺寸的基礎上,詳細分析光學彌散、探測器噪聲、成像陣列盲元等的形成機理,并進行建模和仿真,最后將這些模型依次疊加。采用此方法得到的仿真圖像充分考慮了探測器各種效應的影響,提高了仿真圖像的真實性與逼真度,可為紅外成像系統的研制及目標檢測識別算法提供測試場景與依據。

探討了目前紅外探測器的封裝工藝,對紅外探測器的機械連接、電連接、窗口氣密性焊接、引線盤工藝、表面處理工藝這幾個關鍵工藝技術進行了比較深入細致的分析,總結了影響探測器正常工作的主要因素。

美國倫斯勒理工學院的研究人員開發出了一種基于納米技術的新型量子點紅外探測器(qdip)。這種以金為主要材料的新型元件可大幅提高現有紅外設備的成像素質,將為下一代高清衛星相機和夜視設備的研發提供可能。

根據gb/t13584-92文件標準,研究了激光引信紅外探測器的參數測試系統,分別對靈敏度、響應時間、視場角、靜態噪音等參數進行了測試。結果表明,該系統具有較高的測試精度和重復精度,能滿足生產線上的要求。

本文簡要介紹了多量子阱探測器、熱電探測器、混合型及單片型圖象傳感器等紅外探測器的研究近況,并對關鍵技術進行評述。

日本hamamatsu光子學公司生產出各種各樣的高性能紅外探測器,它們的響應光譜包括20μm以上的長波紅外,其截止頻率高達2ghz。

紅外探測器

為了表征噪聲對量子點紅外探測器性能的影響,本文推導了噪聲的理論模型.該模型通過考慮納米尺度電子傳輸和微米尺度電子傳輸對激發能的共同影響,并結合噪聲增益,實現了對噪聲的估算.得到的結果與實驗的數據相比,顯示了很好的一致性,從而驗證了這個模型的正確性.

隨著紅外焦平面技術的發展,紅外探測器探測波段已由單波段變為雙色及四色波段,半導體元件的封裝數量由最初的數十個發展到數百萬個,i/o輸出密度不斷增大,傳統微互聯技術如引線鍵合技術、載帶自動焊技術等已根本無法滿足器件要求。倒裝焊技術以其封裝尺寸小、互聯密度高、生產成本低的特點越來越受到人們的親睞。倒裝互連工藝主要包括:ubm制備、銦膜沉積、回流成球、倒壓焊、填充背底膠。介紹了各工藝步驟的發展狀況,并對銦膜沉積、銦柱增高工藝進行詳細闡述。