介紹了龐巴迪運輸裝備公司(bombardiertransportation)生產的mitractc3300大功率牽引變流器及其變型產品的結構、工作原理以及在不同種類機車上的應用情況。

介紹了龐巴迪運輸裝備公司（bombardiertransportation）生產的mitractc3300大功率牽引變流器及其變型產品的結構、工作原理以及在不同種類機車上的應用情況。

介紹了一種基于igd515ei構成的igbt串聯應用的驅動電路,能夠提供最大15a的驅動電流,采用光纖傳輸控制信號,解決了所有與mosfet和igbt有關的驅動、保護和電位隔離問題。應用結果表明,該驅動電路使用簡單、可靠,具有優良的驅動和保護性能,尤其是其聯合運用端口的設計非常適用于igbt的串聯使用。采用串聯igbt作為剛管調制器的放電開關,解決了單只igbt耐壓不夠的問題。文中還介紹了igbt柵極驅動電路和igbt電壓均衡電路的設計方法,并給出調制器的輸出波形。

本文分析了開關電源并聯均流的閉環控制,通過閉環控制的理論分析,提出了閉環控制的規則,有利于提高系統的穩定性。

本文分析了開關電源并聯均流的閉環控制,通過閉環控制的理論分析,提出了閉環控制的規則,有利于提高系統的穩定性。

基于結構函數理論,對同一管殼與基板的不同界面熱性能進行研究,發現積分結構函數曲線出現分離,通過分離點可確定igbt模塊內部pn結與基板外殼之間的熱阻值;通過此方法,還可確定同一管殼采用不同接觸面材料的熱特性,并可依此對igbt所用涂覆導熱材料進行選型。研究表明,結構函數理論是分析大功率igbt器件熱特性的一種有效方法。

igbt并聯技術技術詳解 igbt并聯均流問題 影響靜態均流的因素 1、并聯igbt的直流母線側連接點的電阻分量，因此需要盡量對稱； 2、igbt芯片的vce(sat)和二極管芯片的vf的差異，因此盡量采取同一批次的產品。 3、igbt模塊所處的溫度差異，設計機械結構及風道時需要考慮； 4、igbt模塊所處的磁場差異； 5、柵極電壓vge的差異。 影響動態均流的因素 1、igbt模塊的開通門檻電壓vgeth的差異，vgeth越高，igbt開通時刻越晚， 不同模塊會有差異； 2、每個并聯的igbt模塊的直流母線雜散電感l的差異； 3、門極電壓vge的差異； 4、門極回路中的雜散電感量的差異； 5、igbt模塊所處溫度的差異； 6、igbt模塊所處的磁場的差異。 igbt芯片溫度對均流的影響 igbt芯片的溫度對于動態均

國際整流器公司推出全新mtp隔離式開關模塊系列,專為大電流工業電源而設計,適用于高頻弧焊機及不間斷電源。它以氮化鋁陶瓷層進行絕緣,在結點與外殼間發揮更佳導熱性能。該絕緣層的熱傳導性(冷卻能力)比用于同類器件的氧化鋁基板高出7倍之多。新模塊系列的額定電壓為600v和1200v,把高速igbt和優化的二極管結合在同一封裝內,有助于節省空間和降低組裝成本,可取代分立式解決方案。在該系列器件中,50mt060uls是一款全絕緣低側斬波模塊,內含一個ir超快igbt和一個具超軟逆恢復電流特性的hexfred二極管;50mtobowh是一款全絕緣半橋式模式,雙igbt設計可有效控制功率耗散和電流分配。此外,ir還提供兩款1200vmtp開關模塊:全絕緣的20mt120uf全橋式及40mt120uh半橋式模塊。它們可直接連接到大多數三相系統的直流總線。

美國銦公司為infineonyectmologiesag專門設計了用于primepackigbt模塊的heat-spring金屬熱界面材料。heat-spring是柔軟的金屬銦粗加工產品，可壓縮、可用于不規則的安裝表面、不含硅樹脂、無需脫氣、無需pump-out，可與熱油脂和其他粘性材料同時使用。

測試方法（晶川）：萬用表只能測量不全面：若igbt損壞一般可以測 出；但是若igbt是好的，它無法肯定是好的。 igbt損壞：ge,eg,ce,gc,cg任意一組出現二極管檔有讀數，即損壞。 （ge表示g接正表筆，e接負表筆；其他雷同） igbt的ec之間接有二極管，所以為導通態，電壓為0.34v左右。 若想完整測試igbt需要用晶體管圖示儀。 igbt損壞：ge,eg,ce,gc,cg任意一組出現電阻檔有讀數，即損壞。（ge 表示g接正表筆，e接負表筆；其他雷同） 新igbt 紅表筆-黑表筆電阻檔二極管檔 1-2無窮大斷路 2-1無窮大斷路 4-3無窮大斷路 3-4無窮大斷路 8-10無窮大斷路 10-80.447mω0.324 9-8無窮大斷路 8-90.448mω0.324 5-4無窮大斷路 4-5無窮

大功率集成模塊化LED路燈演示

25kA12kV兩單元IGBT模塊

低溫高速隔離式IGBT模塊

大功率igbt(絕緣柵雙極晶體管)在現代廣播、雷達發射機,特別是全固態調制器、高壓開關電源中得到廣泛應用。本文介紹了一種用于大功率psm短波發射機全固態調制器的雙功率模塊測量與控制電路,該雙功率模塊控制采用微處理器和可編程邏輯芯片設計,因此具有工作電壓低、損耗小等特點。

模塊化高精度大功率高壓電源并聯技術 呂富勇1,李永新1,王　芹2,金　江3,劉　偉1 (1.南京理工大學機械工程學院,南京210094;2.南京航空航天大學材料科學與技術學院,南京210016; 3.華中科技大學電子與信息工程系,武漢430074) 摘　要:為實現多模塊大功率高壓電源均流并聯擴容技術,用固定相對相位偏移的脈沖頻率調制法,將多個高壓 大功率串聯諧振逆變模塊并聯;并通過優化控制補償網絡設計及合理接地設計,解決并聯系統自激和高壓打火損 壞控制電路難題。實驗表明用該法實現高壓電源的模塊化并聯擴容,簡單可靠且并聯模塊越多電源紋波水平越 小;無需內置電流控制環,模塊間也能得到滿意的均流效果;在脈沖負載和電阻負載條件下,均具有好的動態特性。 關鍵詞:并聯;均流;固定相位偏移;串聯諧振;高壓

正確地確定靜態和動態運行的降額因子,保證了icbt模塊并聯的可靠運行。

并聯均流技術作為分布式電源系統中的關鍵技術,能夠將多個電源模塊并聯工作,共同分擔電流,即實現均流.本文首先介紹幾種在開關電源模塊中常用的并聯均流方法及其優缺點;其次,對造成電源模塊不均流的原因進行了分析;最后,基于pid技術研究了數字并聯均流的方法,因其良好的靈活性、抗干擾性和控制精度在工程中得到了廣泛的應用.

大功率集成模塊化LED路燈演示-資料

IR推出運行于更低溫度的高速隔離式整流器IGBT模塊

大功率led的結構與特性 大功率led的結構特點和應用： 相對于傳統的白紙燈泡，大功率led因具備了更省電，使用壽命更長壽命更長及反應 時間更快等主要優點，因此很快搶占了lcd背光板，交通號志，汽車照明和廣告照明等多 個市場。采用次黏著基臺進階封裝方式，可有效提高led的照明效果。大功率led的主流 生產技術是ingan,但此技術仍有一些瓶頸需要克服，目前針對這些瓶頸（靜電釋放敏感性和 膨脹系數）提出新的解決方案。 由于大功率led制造工藝，器件設計，組裝技術三方面的進展，led發光器的性能一 直在提高，其成本一直在降低。pn結設計，再輻射鱗片體和透鏡結構都有助于提高效率， 因此也有助于提高可獲得的光輸出。 目前多數的封裝方式已明顯無法滿足應用需求。對于大功率led的封裝廠商來說，一 個主要的調漲來自于熱處理課題。這是因為在高熱下，晶格會產

gbpc12,15,25and35series glasspassivatedsingle-phasebridgerectifier reversevoltage-50to1000voltscurrentvoltage-12.0to35.0amperes features ?theplasticpackagehasunderwriterslaboratoryflammabilityclassification94v-0 ?thisseriesisulrecognizedundercomponentindex,filenumbere54214 ?integrallymoldedheatsinkprovidesverylowthermalresistanceformaximumheat

提出一種新穎的三相并聯型負荷特性模擬裝置及其相應的主電路拓撲結構。該裝置采用分相控制,其基波和諧波電流采用解耦控制,級聯h橋模塊采用三角載波移相控制,通過連接電抗器實現基波和諧波電流的注入及裝置功率的調節。提出調節逆變器輸出基波電壓相角和幅值來調節注入系統的有功和無功功率,并給出裝置有功和無功功率的數學表達式。分析裝置在不同工況下的等效電路,得到系統電抗、基波連接電抗和諧波濾波電抗對裝置注入電流精度的影響。對低頻電流波動、電流諧波和功率因數調節分別進行仿真研究,仿真結果表明了主電路拓撲及控制策略對負荷特性模擬的可行性和有效性。