用射頻等離子體輔助分子束外延技術（rf－mbe）在c面藍寶石襯底上外延了高質量的gan膜以及algan/gan極化感應二維電子氣材料，所外延的gan膜室溫背景電子濃度為2×10^17cm^-3，相應的電子遷移率為177cm^2/(v·s）；gan(0002)x射線衍射搖擺曲線半高寬（fwhm）為6′；algan/gan極化感應二維電子氣材料的室溫電子遷移率為730cm^2/(v·s），相應的電子氣面密度為7.6×10^12cm^-2；用此二維電子氣材料制作的異質結腸效應晶體管（hfet）室溫跨導達50ms/mm（柵長1μm），截止頻率達13ghz(柵長0.5μm）。

利用低壓mocvd技術在藍寶石襯底上生長了高性能的algan/gan二維電子氣(2deg)材料,室溫和77k溫度下的電子遷移率分別為946和2578cm2/(v·s),室溫和77k溫度下2deg面密度分別為1.3×1013和1.27×1013cm-2.并利用algan/gan二維電子氣材料制造出了高性能的hemt器件,柵長為1μm,源漏間距為4μm,最大電流密度為485ma/mm(vg=1v),最大非本征跨導為170ms/mm(vg=0v),截止頻率和最高振蕩頻率分別為6.7和24ghz

市面上能買到的led燈,雖然耗電量僅為白熾燈的6%,使用壽命長達5萬小時以上,但動輒數十倍的售價,使led燈無法走入百姓家。南京理工大學近日傳出消息,該校取得新型二維半導體研究進展,有望制造出新型材料,大大降低led燈生產成本,該研究成果已經在線發表在化學與材料等學科頂尖期刊

石墨烯是由碳原子組成的只有一層原子厚度的二維晶體。2004年，英國曼徹斯特大學物理學家安德烈·蓋姆和康斯坦丁·諾沃肖洛夫，成功從石墨中分離出石墨烯，證實它可以單獨存在，兩人也因此共同獲得2010年諾貝爾物理學獎。

二維建模

提出了一種調節液晶光子晶體光子帶隙的方法。二維三角介質柱形光子晶體位于2塊熔凝石英片之間,在介質柱之間填充各向同性排列的液晶,受偏振紫外光照射后,光誘導液晶分子定向排列,通過光誘導液晶分子取向改變液晶的折射率。數值模擬結果表明:通過外界光場控制所填充的向列相液晶分子的方向可以對這種二維三角形介質柱光子晶體的禁帶結構進行調節。該可調光子晶體可控制波導中tm模和te模的選擇性傳輸,因而可應用于制作全光光開關。

半導體材料的發展現狀及未來展望 智能160141623405呂懿 前言： 半導體材料（semiconductormaterial）是一類具有半導體性能（導電能力介于導 體與絕緣體之間，電阻率約在1mω·cm～1gω·cm范圍內）、可用來制作半導體器件和 集成電路的電子材料。半導體材料是制作晶體管、集成電路、電力電子器件、光電子器 件的重要基礎材料，支撐著通信、計算機、信息家電與網絡技術等電子信息產業的發展。 半導體材料及應用已成為衡量一個國家經濟發展、科技進步和國防實力的重要標志。 一、第3代半導體材料及應用 半導體材料的發展可以劃分為三個時代。 第1代半導體材料以硅(si)和鍺(ge)等元素半導體材料為代表，奠定了微電子產業 基礎。其典型應用是集成電路(integratedcircuit,ic)，主要應用于低壓、低頻、低功率 晶體管和探測器，

美國麻省理工學院的兩門開放課件"electrical,opticalandmagneticmaterialsanddevices"和"electronicandmechanicalpropertiesofmaterials"分別為大學生和研究生開設,它們與我院為大學本科生和研究生開設的"電氣功能材料"和"電氣電子材料物理性質"課程比較接近和對應。通過對比發現,在課程規劃、課程實施、教學內容到教學成果檢驗等環節,我們與mit的課程都有相同或相近的地方,但也存在一些明顯的不同。在對比兩校課程特點的研究基礎上,我們提出了改進此類專業課教學方法的一些建議。

二維斜交網格框架結構的性能研究——建立分析模型，探討斜交網格結構體系的基本元素即二維斜交網格框架的性能特征。并建立了一高層二維的密柱深梁框架與其對比，研究二維斜交網格結構在水平和豎向荷載作用下的性能。分析表明：在相同的結構重量條件下，斜交網格...

無損傷超微細材料缺陷正電子湮滅探測裝置

美國田納西州能源部橡樹嶺國家實驗室（ornl）和諾克斯維爾的田納西大學研究人員，創造出一種形成二維單原子平板新技術，而且兩種不同材料具有無縫界面。這個團隊將石墨烯和氮化硼兩種材料合并成僅僅一個原子厚的單層結構。

磁流變光整加工材料去除的二維建模 陳逢軍1　尹韶輝1　朱科軍1　大森整2　朱勇建1　范玉峰1 1.湖南大學國家高效磨削工程技術研究中心,長沙,410082 2.日本理化學研究所,東京,日本,173-0003 摘要:根據磁流變液在梯度磁場作用下發生劇變的特點,以流體動力學理論為基礎,對preston方 程、reynolds方程及其邊界條件進行擴充,建立了在二維方向上的磁流變光整加工的壓力模型和材料 去除數學模型,并對該模型進行仿真分析。最后進行磁流變光整加工的基礎實驗,分析了不同的工件壓 入量和材料類型對材料去除率的影響,通過將實驗結果與材料去除模型的仿真結果進行比較,以驗證該 模型的合理性。 關鍵詞:磁流變光整加工;磁流變液;材料去除;去除模型;二維建模 中圖分類號:tg5　　　文章編號:1004—132x(

為使frp結構在太空交變溫度場下的熱穩定性能要求,研究了面內二維零熱膨脹混雜復合材料層合板設計理論.采用細觀力學方法和經典層合板理論,分析層合板的纖維含量、混雜比及其鋪層角等對層合板熱膨脹系數的影響規律.建立了層內混雜復合材料層合板面內二維熱膨脹系數設計理論.理論分析和實驗結果表明,合理設計復合材料層合板的纖維含量、混雜比及其鋪層,可以實現面內二維零膨脹.

周期性材料或結構常表現出阻斷特定頻段的波傳播的特異性質(帶隙性質),通過合理設計可以調整帶隙的位置和帶寬等,帶隙材料在濾波、導波、隔音、隔振等方面有巨大的應用潛力.據此背景,研究了材料微結構構型對帶隙性質的影響.分析和比較了三角形、米字形、四邊形、六邊形、反六邊形、kagome形和鉆石形等7種典型拓撲構形格柵材料的帶隙性質與彈性波在其中的局部衰減特性,提出了可表征特定帶隙性質的目標函數,從而對不同構型的材料進行選優;進一步得到并數值驗證了材料微結構中幾何參數對帶隙性質的影響規律,為通過改變構型幾何參數設計具有特定性質的帶隙材料提供參考.

無網格法解土體二維固結問題——引入著名的鄧肯一張模型，對平面應變下比奧固結問題進行了非線性數值分析，應用無網格伽遼金法推導出土體二維blot固結的系統方程并編制了相應的無網格程序，最后通過一算例說明了該法的精確性和可行性。　　

1 佛山科學技術學院 實驗報告 課程名稱計算機制圖 實驗項目繪制二維圖形 專業班級08資環1班姓名李敏艷學號2008924211 指導教師宋憲強成績日期 一、實驗目的 1.熟悉autocad2005工作界面、圖形文件操作、幫助功能，掌握設置圖形界限、繪圖單位、縮放、移動視圖 方法。 2.掌握多種繪圖工具繪制二維圖形。 二、實驗內容 1．全部縮放和范圍縮放有什么區別？ 2．繪制上機指導書第二章練習一第4題所示的多邊形圖案。 3．繪制上機指導書第二章練習二第3題的圓弧圖案。 4.繪制上機指導書第二章練習五第2題的矩形圖案。 三、實驗步驟 1.全部縮放：對整個圖形進行放大或縮小，視圖不依圖形進行調整。 部分縮放：對所選區域進行縮放，使所選區域占據整個視圖窗口。 2. 命令:line 指定第一點: 指定下一

利用瑞利－芬羅理論，計算了超晶格和覆蓋層的界面有周期性余弦柵格時的等離子體界面膜．計算表明：在布里淵區邊界，界面波有強烈的散射，而在色散曲線上形成間隙．文內給出計算的公式和部分參數的計算結果．

半導體超晶格微制冷器的研究進展——文章對新型半導體器件——超晶格微制冷器進行了綜述分析，對其理論、實驗及與電子器件、光電子器件的集成等方面進行了介紹，并對其應用前景及領域進行了分析。

1、請問上色區域的面積是多少？ 提示：測量區域面積方法有兩種：第一，將區域制作成面域，然后選擇工具→查詢→面 域/質量特性。第二，將區域填充剖面線，然后選擇工具→查詢→面積 abcde 9250363918 2、請問圖中上色部分的面積是多少？ abcd 221321515 3、請問圖形中上色區域的面積是多少？ abcd 108422514 4、請問圖形上色區域的面積是多少？ abcd 130503015 5、請問圖形綠色區域的面積是多少？ abcd 52329815 6、請問圖中上色部分的面積是多少？ abcd 10080550 7、請問圖中綠色區域的面積是多少？ abcd 1891452996 8、參照下圖繪制三視圖，注意符合立體參考圖的形態。 請問： 1、左視圖（右上方的

湍流邊界層脈動壓力譜是水動力噪聲預報的重要輸入參數。為滿足湍流邊界層脈動壓力測試需求,設計并建造了二維低噪聲風洞。風洞設計從流體動力學和聲學2方面考慮。流體動力學設計既需要滿足流速要求,又需要降低試驗段湍流度,提高流動穩定性;聲學設計從洞壁隔聲,洞體內部消聲以及減振3個方面考慮,專門設計了聲流式消聲器、微穿孔消聲器及消聲彎頭用于降低試驗段噪聲。二維低噪聲風洞建成后有效進行了湍流邊界層脈動壓力測試。

光子晶體是一種介電常數周期性排列的人工介質,它對光具有可操縱性。將非線性材料運用到二維光子晶體中,即在普通二維光子晶體波導中引入非線性缺陷,通過控制輸入光功率的大小,得到了不同情況下光波在波導中的傳輸情況,實現了"開""關"作用,實驗結果表明,開關時間極短,大致在1013—~1014數量級。

報道了50%截止波長為12.5μm的inas/gasbⅱ類超晶格長波紅外探測器材料及單元器件.實驗采用分子束外延技術在gasb襯底上生長超晶格材料.吸收區結構為15ml(inas)/7ml(gasb),器件采用pbin的多層異質結構以抑制長波器件暗電流.在77k溫度下測試了單元器件的電流-電壓(ⅰ-ⅴ)特性,響應光譜和黑體響應.在該溫度下,光敏元大小為100μm×100μm的單元探測器rmaxa為2.5ωcm2,器件的電流響應率為1.29a/w,黑體響應率為2.1×109cmhz1/2/w,11μm處量子效率為14.3%.采用四種暗電流機制對器件反向偏壓下的暗電流密度曲線進行了擬合分析,結果表明起主導作用的暗電流機制為產生復合電流.