鍺硅合金Y分支器的研制
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本文介紹采用半導體平面工藝研制的Y 分支器。為減少分支處的幅射損耗,并考慮分支器波導耦合長度,Y 分支器的分支角度設計值為2 度。Y 分支器的波導結構依據大截面理論決定。經激光測量系統測試,分支器角度輻射損耗值為2dB。
日開發出嵌入鍺量子點的硅基LED
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據有關媒體報道,近日,日本東京都市大學綜合研究所研究人員成功開發出采用鍺(Ge)量子點的硅發光元件。
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