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介紹了垂直多結(jié)器件的結(jié)構(gòu),給出了熱遷移制結(jié)的工藝條件和結(jié)果,特別介紹了處理器件電極引線的隔離線方法,解決了經(jīng)過熱遷移摻雜后光刻電極套不準(zhǔn)的難題,以及把所有p型區(qū)域連接起來的問題,達(dá)到了敏感區(qū)金屬零遮擋的目的.同時分析了工藝條件對器件性能的影響.通過對敏感區(qū)和無效區(qū)的計算和對比,對器件的幾個電流參數(shù)進(jìn)行了詳細(xì)的計算;對兩種靶材的標(biāo)識譜在器件內(nèi)產(chǎn)生的光電子的收集效率做了計算,對器件的光譜響應(yīng)度也作了計算和分析;同時對器件窗口材料的選擇進(jìn)行了詳細(xì)討論;最后敘述對器件進(jìn)行的實驗驗證,通過對金屬模板上模擬缺陷的測量,證明器件有足夠的靈敏度和分辨率.
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