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在NH4F體系和HF體系中制備了碳納米管;研究了陽極氧化電壓和氧化時(shí)間對(duì)碳納米管生長(zhǎng)、形貌和光催化性能的影響;并分析了其作用機(jī)理;結(jié)果表明;NH4F體系中;隨著氧化電壓的升高;形成的碳納米管的管長(zhǎng)不斷增大;排列也更加致密;生長(zhǎng)方向逐漸從部分垂直于基底轉(zhuǎn)化為全部垂直于基底;HF體系中;三種氧化電壓下的納米管都較為細(xì)密;沒有出現(xiàn)類似的竹節(jié)結(jié)構(gòu);相同氧化時(shí)間下的納米管也更長(zhǎng);無論是NH4F體系還是HF體系;氧化電壓為30V時(shí)制備的納米管具有最佳的光催化性能;
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在NH4F體系和HF體系中制備了碳納米管;研究了陽極氧化電壓和氧化時(shí)間對(duì)碳納米管生長(zhǎng)、形貌和光催化性能的影響;并分析了其作用機(jī)理;結(jié)果表明;NH4F體系中;隨著氧化電壓的升高;形成的碳納米管的管長(zhǎng)不斷增大;排列也更加致密;生長(zhǎng)方向逐漸從部分垂直于基底轉(zhuǎn)化為全部垂直于基底;HF體系中;三種氧化電壓下的納米管都較為細(xì)密;沒有出現(xiàn)類似的竹節(jié)結(jié)構(gòu);相同氧化時(shí)間下的納米管也更長(zhǎng);無論是NH4F體系還是HF體系;氧化電壓為30V時(shí)制備的納米管具有最佳的光催化性能;