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我們也許在不久的將來,會(huì)擁有高速存儲(chǔ)器容量超過1TB的智能手機(jī)或平板電腦。幾年后,你攜帶的智能手機(jī)、平板電腦或筆記本電腦很可能配備數(shù)百GB、甚至數(shù)TB超高速存儲(chǔ)器,這要感謝存儲(chǔ)器領(lǐng)域近日取得的兩大進(jìn)展。首先,三星公司宣布如今它在批量生產(chǎn)3D垂直結(jié)構(gòu)NAND(V-NAND)芯片;隨后,新興公司Crossbar表示,它已開發(fā)出了電阻式隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器(RRAM)芯片的原型產(chǎn)品。
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W25Q32BV Publication Release Date: October 04,2013 - 1 - Revision I 3V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI W25Q32BV - 2 - Table of Contents 1. GENERAL DESCRIPTION ............................................................................................................... 5 2. FEATURES ........................................................................................
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