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對電容成像交流法微電容測量電路由雜散電容導致的測量噪聲進行了研究。利用運算放大器的噪聲模型,對運算放大器輸入電壓噪聲、輸入電流噪聲以及周邊電阻元件的熱噪聲通過雜散電容作用于交流法微電容測量電路輸出的影響進行了理論分析,給出了測量電路輸出中噪聲峰峰值的理論計算公式并進行了實驗驗證。理論分析及實驗結果表明:交流法微電容測量電路前級運算放大器輸入電壓噪聲通過測量端與地之間的雜散電容形成的噪聲是該微電容測量電路輸出噪聲的主要來源。最后給出了電容成像系統(tǒng)前級運算放大器選型的指導原則。
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一、電容的主要參數(shù)： 1、 電壓 1） 額定電壓：兩端可以持續(xù)施加的電壓，一般為直流電壓，通常用 VDC。而專用于 交流電的則為交流有效值電壓，通常為 VAC。 電容器的交直流額定電壓換算關系 直流額定電壓 VR/VDC 50 63 100 250 400 630 1000 交流額定電壓 VR/VAC 30 40 63 160 200 220 250 2） 浪涌電壓：電解電容特有的電壓參數(shù)，是短時間可以承受的過電壓，為額定電壓的 1.15 倍。 3） 瞬時過電壓：是鋁電解電容特有電壓參數(shù)，為可以瞬時承受的過電壓，這個浪涌電 壓約為額定電壓的 1.3 倍，是鋁電解電容的擊穿電壓。 4） 介電強度：電容額定電壓低于電容中介質的擊穿電壓。一般為額定電壓的 1.5~2.5 倍。如：鋁電解電容的擊穿電壓約為額定電壓的 1.3 倍；其它介質則通常為 1.75~2 倍以上。 5） 試驗電壓：薄膜電容
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