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基于0.25μm Ga N HEMT工藝,研制了一款兩級拓撲放大結構的2~8 GHz寬帶功率放大器MMIC(單片微波集成電路)。MMIC所用Ga N HEMT器件結構經過優化,提高了放大器的可靠性和性能;電路采用多極點電抗匹配網絡,擴展了放大器的帶寬,減小了電路的損耗。測試結果表明,在2~8 GHz測試頻帶內,在脈沖偏壓28 V(脈寬1 ms,占空比30%)時,峰值輸出功率大于30 W,功率附加效率大于25%,小信號增益大于24 d B,輸入電壓駐波比在2.8以下,在6 GHz處的峰值輸出功率達到50 W,功率附加效率達到40%;在穩態偏壓28 V時,連續波飽和輸出功率大于20 W,功率附加效率大于20%。尺寸為4.0 mm×5.0 mm。
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