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利用放電等離子燒結技術制備了三元半導體CuGaTe2。XRD分析結果表明,該半導體為單相化合物CuGaTe2,帶隙寬度(Eg)約為1.0eV,與Ga2Te3(1.65eV)的帶隙相比明顯變窄。在701K時電導率達到1.6×104/(Ω.m)。電導率的顯著提高與帶隙變窄密切相關。晶格熱導率占總熱導率(κ)的主要部分,κ值由室溫時的3.64W/(m.K)降低到701K時的1.1W/(m.K),并基本符合∞T-1關系,即聲子散射基本受Umklapp過程控制。在701K時該三元化合物的最大熱電優值ZT為0.49,而Ga2Te3在860K時的最大ZT值為0.16。
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利用放電等離子燒結技術制備了三元半導體CuGaTe2。XRD分析結果表明,該半導體為單相化合物CuGaTe2,帶隙寬度(Eg)約為1.0eV,與Ga2Te3(1.65eV)的帶隙相比明顯變窄。在701K時電導率達到1.6×104/(Ω.m)。電導率的顯著提高與帶隙變窄密切相關。晶格熱導率占總熱導率(κ)的主要部分,κ值由室溫時的3.64W/(m.K)降低到701K時的1.1W/(m.K),并基本符合∞T-1關系,即聲子散射基本受Umklapp過程控制。在701K時該三元化合物的最大熱電優值ZT為0.49,而Ga2Te3在860K時的最大ZT值為0.16。
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