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隨著大陸半導體產業鏈的快速發展，在全國4大經濟圈中長三角地區已經成為大陸集成電路產業的發展核心區域，根據2003年統計數據顯示，長江三角洲占全國IC產業產值比重的64．2％，而上海地區亦占據全國比重38．6％，產業聚集效益明顯。
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通過晶界工程(GBE)處理,可使304不銹鋼樣品中的低∑CSL晶界比例提高到70%(Palumbo Aust標準)以上,同時形成了大尺寸的"互有∑3~n取向關系晶粒的團簇"顯微組織.采用C型環樣品恒定加載方法,在pH值為2.0的沸騰20%NaCl酸化溶液中進行應力腐蝕實驗.GBE樣品在平均浸泡472 h后出現應力腐蝕裂紋,SEM,EBSD和OM分析表明,應力腐蝕開裂(SCC)為沿晶開裂(IGSCC)和穿晶開裂(TGSCC)的混合型.而未經GBE處理的樣品在平均浸泡192h后出現多條應力腐蝕主裂紋,且多為沿晶界裂紋.經過GBE處理的樣品中大尺寸的晶粒團簇及大量相互連接的∑3-∑3-∑9和∑3-∑9-∑27等∑3~n類型的三叉界角,阻礙了IGSCC裂紋的擴展,從而提高了304不銹鋼樣品的抗IGSCC性能
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