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基于超聲波的功率半導體高溫封裝技術介紹 作者:張曹 天津愛沐陽光科技 一、行業背景 以碳化硅( SiC)和氮化鎵( GaN)為代表的第三代功率半導體材料,是近些 年發展起來的新型半導體材料, 具有更寬的禁帶寬度、 更好的熱導率, 更適合當 前高功率器件的需要。 但高功率、高壓的功率器件或模塊會帶來一個芯片散熱的問題。 現有的封裝 技術是基于鉛基合金, 如典型的 92.5Pb/5Sn/2.5Ag合金,在真空共晶爐中實現芯 片與陶瓷電路板的貼片封裝,很難滿足散熱與耐熱沖擊要求,主要原因如下: (1)鉛基合金的熱導率僅為 30-40W/m.k 左右,耐溫僅到 250℃ (3)鉛基合金還存在含鉛、高污染問題。 因此耐高溫、無鉛化的貼片封裝技術一直是業內的研發重點。 一個技術路線是納米銀漿,使用納米級的銀粉末可以低溫融化的特點,在 200-300℃左右燒結,在芯片與陶瓷電路板之間形成一個導熱的銀層,