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LED 芯片的制造過程可概分為晶圓處理工序( Wafer Fabrication )、晶圓針測(cè)工序 (Wafer Probe )、構(gòu)裝工序( Packaging )、測(cè)試工序( Initial Test andFinal Test)等幾 個(gè)步驟。其中晶圓處理工序和晶圓針測(cè)工序?yàn)榍岸危?Front End)工序,而構(gòu)裝工序、 測(cè) 試工序?yàn)楹蠖危?Back End)工序。 1、晶圓處理工序 本工序的主要工作是在晶圓上制作電路及電子元件 (如晶體管、 電容、邏輯開關(guān)等), 其處理程序通常與產(chǎn)品種類和所使用的技術(shù)有關(guān), 但一般基本步驟是先將晶圓適當(dāng)清洗, 再在其表面進(jìn)行氧化及化學(xué)氣相沉積,然后進(jìn)行涂膜、曝光、顯影、蝕刻、離子植入、 金屬濺鍍等反復(fù)步驟,最終在晶圓上完成數(shù)層電路及元件加工與制作。 2、晶圓針測(cè)工序 經(jīng)過上道工序后,晶圓上就形成了一個(gè)個(gè)的小格,即晶粒,一般情況下,為便于測(cè) 試,提高效率
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關(guān)于幾種常用芯片的比較 3528 芯片:?jiǎn)晤w 0.06W,單顆流明 7-9LM 3528 技術(shù)穩(wěn)定成熟, 發(fā)熱量極低, 光衰小, 光色一致性好, 并廣泛應(yīng)用于 LED 電腦顯示器, LED 電視機(jī)背光照明使用。 3528 芯片因?yàn)榱炼雀撸饩€柔和,單顆功率低,發(fā)熱量低等特點(diǎn),完全符合 LED 吸頂燈全 面板光源需求, 全面板光源的應(yīng)用完全彌補(bǔ)了環(huán)形燈管光線不均勻, 中間以及外圍有暗區(qū)的 缺陷,真正實(shí)現(xiàn)了無暗區(qū)。 5630/6040 芯片:?jiǎn)晤w功率 0.5-0.6W,單顆流明 30-50W 新近出現(xiàn)的封裝模式, 發(fā)光強(qiáng)度及發(fā)熱量介于中功率和大功率之間, 產(chǎn)量低, 光色一致性較 差,主要用于燈泡,射燈,筒燈,天花燈等高密度燈具,光強(qiáng)很強(qiáng),炫光感強(qiáng),很刺眼,必 須配獨(dú)立的全鋁散熱器,否則在很短時(shí)間內(nèi)會(huì)出現(xiàn)嚴(yán)重光衰,嚴(yán)重影響燈具壽命。 大功率 1W 芯片:?jiǎn)晤w功率為 1W,單顆流明 80-90
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