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在新材料SiGe-OI(絕緣層上鍺硅)單模光波導的基礎上,建立了符合單模光波導條件的SiGe-OI對稱型Y分支光功率分配器結構,分析了對稱型Y分支光功率分配器的模式,并通過BPM模擬軟件對SiGe-OI對稱型Y分支光功率分配器進行了模擬,分析了光場強度、分支角度、分支過渡區長度以及附加損耗等之間的關系,選擇的Y分支光功率分配器過渡區長度L為1200μm,光束被平均分配到兩個分支中,出口處每束光的強度大約是入口處強度的50%,符合Y分支器的3 dB特性。該設計可以獲得具有均勻輸出特性,當分支角小于1°的時候,附加損耗小于0.5 dB的低損耗SiGe-OI對稱型Y分支光功率分配器。
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設計并制作了一種緊湊型高聚物光功率分配器,該器件長度比傳統器件結構縮短近1/3,實現了器件的微型化改進。利用設計仿真工具BeamProp對器件所需參量進行詳細的篩選分析,最終確定了器件結構的具體數值。采用極具優勢的軟光刻技術印制成功高聚物1×8光功率分配器,在實際的測量中所得損耗結果與模擬仿真符合較好。該器件很大程度上迎合了通信器件微型化的發展趨勢,且所采用的制作工藝具有加工便捷,成型快速,成本低廉等獨特優勢,使器件的規模生產成為可能。
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