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半導體 (電子 )及太陽能電池材料的多晶硅 一、概要 1、從鍺到硅 鍺：融點 960℃ 用石英或炭的容器來熔化。 硅：融點 1420℃ 炭和石英反應生成。（沸點： 2355℃） 最初半導體的產生從生產使用方便的鍺材料開始的， 隨著技術進步，開始使用了特別顯 著性質的硅（從 1965年的硅的生產量超過了鍺的生產量） ，用于太陽能電池就從這時開始的。 2、硅的特性 半導體：導體、絕緣物的中間導電物。 導電：有 P型與 N 型。根據溫度有所變化， P型 N 型的結合。（P 型：空穴； N 型：電 子） 常溫下，本征半導體硅的電導率是 230000Ω·cm，1100℃時為 0.01Ω·cm.純度為 9個 9 時為 100Ω·cm，10個 9時為 1000Ω·cm。所含雜質越多，導電性越好。 3、高純度多晶硅的技術變化 進入 1950年開始工業性生產（美國 Du-pont）日本是從進入 1960年代
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半導體 (電子 )及太陽能電池材料的多晶硅 一、概要 1、從鍺到硅 鍺：融點 960℃ 用石英或炭的容器來熔化。 硅：融點 1420℃ 炭和石英反應生成。（沸點： 2355℃） 最初半導體的產生從生產使用方便的鍺材料開始的， 隨著技術進步，開始使用了特別顯 著性質的硅（從 1965年的硅的生產量超過了鍺的生產量） ，用于太陽能電池就從這時開始的。 2、硅的特性 半導體：導體、絕緣物的中間導電物。 導電：有 P型與 N 型。根據溫度有所變化， P型 N 型的結合。（P 型：空穴； N 型：電 子） 常溫下，本征半導體硅的電導率是 230000Ω·cm，1100℃時為 0.01Ω·cm.純度為 9個 9 時為 100Ω·cm，10個 9時為 1000Ω·cm。所含雜質越多，導電性越好。 3、高純度多晶硅的技術變化 進入 1950年開始工業性生產（美國 Du-pont）日本是從進入 1960年代
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