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本文用分子軌道法處理半導體化合物靶中射程參數問題,提出了理論模型和計算方法. 處理中發現Ⅲ-Ⅴ族化合物一般呈正偏離偏差,Ⅱ-Ⅵ族化合物呈負偏離偏差.且發現偏離系數γ只與靶的化學鍵有關,而在一定的能量范圍內,與注入能量及離子的關系不大. 對于呈閃鋅礦和纖鋅礦的半導體化合物,本文用sp~3雜化軌道處理它們的約化重疊積分S_(AB)問題,得出了普適的離子性△與γ系數關系,發現Ⅲ-Ⅴ族化合物的S_(AB)呈正值,而Ⅱ-Ⅵ族化合物的S_(AB)呈負值,這是引起γ不同的主要原因之一. 文內對呈負偏離的He~+→CdS、CdTe,H~+→CdTe及B~+→CdHgTe系統,正偏離的Si~+→GaAs,Li~+→Al_2O_3,Be~+→InP和 N~+→GaP系統的 Se(E)和射程參數 R_p等實測值與計算值作了比較,均得到了滿意結果.
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環境空氣質量標準 質量分級編輯 環境空氣質量功能區分類 環境空氣功能區分為二類： 一類區為自然保護區、風景名勝區和其他需要特殊保護的區域； 二類區 為居住區、商業交通居民混合區、文化區、工業區和農村地區。 環境空氣質量標準分級 環境空氣質量標準分為二級 一類區執行一級標準 二類區執行二級標準 GB編輯 4.2 環境空氣功能區質量要求一類區適用一級濃度限值， 二類區適用二級濃度限值。 一、 二類環境空氣功能區質量要求見表 14.3 本標準自 2016 年 1 月 1 日起在全國實施。基本 項目（表 1）在全國范圍內實施；其他項目（表 2） 即 0.123ppm~0.155ppm 由國務院環境保護行政主管部門或者省級人民政府根據實際情況，確定具體實施方式。 4.4 在全國實施本標準之前， 國務院環境保護行政主管部門可根據 《關于推進大氣污染聯防 聯控工作改善區域空氣質量的指導意見》 等文件要
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