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CMOS差分放大器是現(xiàn)代集成電路設計中一個非常重要的電路結(jié)構(gòu)．由于CMOS差分放大器對其版圖設計以及晶體管尺寸非常敏感，CMOS差分放大器設計是模擬電路設計的一個難題．本文利用PowerchipSemiconductorCorp的L110-N工藝實現(xiàn)了不同結(jié)構(gòu)以及不同尺寸的CMOS差分放大器的電路圖和版圖設計，并利用HSPICE對這些設計進行了后仿真，得到了不同尺寸和版圖結(jié)構(gòu)下性能對比結(jié)果，對相關(guān)領(lǐng)域集成電路設計有很好的指導意義．
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CMOS差分放大器是現(xiàn)代集成電路設計中一個非常重要的電路結(jié)構(gòu)．由于CMOS差分放大器對其版圖設計以及晶體管尺寸非常敏感，CMOS差分放大器設計是模擬電路設計的一個難題．本文利用PowerchipSemiconductorCorp的L110-N工藝實現(xiàn)了不同結(jié)構(gòu)以及不同尺寸的CMOS差分放大器的電路圖和版圖設計，并利用HSPICE對這些設計進行了后仿真，得到了不同尺寸和版圖結(jié)構(gòu)下性能對比結(jié)果，對相關(guān)領(lǐng)域集成電路設計有很好的指導意義．
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