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更新時間：2025.05.11
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第 30 卷第 3 期 硅 酸 鹽 學 報 Vol. 30 , No. 3 2 0 0 2 年 6 月 JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY J une , 2 00 2 綜合評述 寬帶隙半導體材料 SiC研究進展及其應用 王玉霞,何海平,湯洪高 (中國科學技術大學材料科學與工程系 , 合肥 230026 ) 摘 要 :SiC 是第 3代寬帶隙半導體的核心材料之一 , 具有極為優良的物理化學性能 , 應用前景十分廣闊 . 本文綜合介紹 SiC的基本特性 , 材 料的生長技術 (包括體單晶生長和薄膜外延生長技術 ) , SiC基器件的研發現狀 , 應用領域及發展前景 . 同時還介紹了作者用脈沖激光淀積法 在 Si襯底上制備出單晶 4H - SiC薄膜的研究結果 . 關鍵詞 : 碳化硅 ; 體單晶生長 ; 薄膜 ; 器件 中圖分類號 : TN
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