將酸化處理以后的碳納米管(cnts)與高密度聚乙烯(hdpe)復合,采用機械共混法制備了定向cnts/hdpe復合材料,并對其力學性能、相態結構、流變性能及熱性能進行了研究。結果表明:cnts的加入,提高了復合材料的屈服強度和拉伸模量,但同時卻降低了材料的斷裂強度和斷裂伸長率;cnts在hdpe基體中有了較好的分散性和相容性;cnts的加入對復合材料流變性能產生了較大的影響,加入少量的cnts可以使復合材料體系的表觀粘度降低,有利于hdpe加工性能的改善;cnts加入后,hdpe的熔融溫度和結晶熔融焓均有所下降。

日本產業技術綜合研究所等研究單位用單層碳納米管（筒狀碳原子）與銅復合，制得密度小于銅、金的復合物。制取工藝：基板上的單層碳納米管在含銅離子的有機溶液中慢慢通過，再在與銅親和力強的水溶液中電鍍，這種復合材料每cm2可通入6億安培電流，電流容量為金和銅的100倍。

以多壁碳納米管為填料,氟碳樹脂為成膜物質,采用機械共混法制備了一種具有自清潔性能的耐腐蝕涂料,利用電化學阻抗譜法測定了碳納米管的臨界濃度,研究了碳納米管的摻量對涂層自清潔性能、物理性能及耐化學品性能的影響。

報道了在多壁碳納米管(mwnts)表面修飾聚丙烯酸(分子量為500~1000)作為親水層,改善納米管在水溶液中的溶解性,減少碳管自身團聚,順利實現碳納米管表面化學鍍銅。同時也考察了溫度、時間、攪拌速度等因素對鍍層的影響,確定中性條件在碳納米管表面鍍銅的最佳條件。

采用熔融混煉的方法制備聚丙烯/多壁碳納米管復合材料(pp/mwnts)。研究了復合材料的表面電阻率與mwnts含量的關系,結果發現:隨著mwnts含量的不斷增加,復合材料的電阻率呈不斷下降趨勢,并發現mwnts含量為3%時為復合材料的導電閾值。又通過對試樣作透射電鏡觀察研究,從微觀角度分析了復合材料電性能變化的原因。

采用原子轉移自由基(atrp)活性聚合方法在多壁碳納米管(mwnt)表面接枝丙烯酸丁酯聚合物(pba),并以此對聚丙烯(pp)進行改性。紅外光譜(ft-ir)及透射電子顯微鏡(tem)測試結果表明,采用atrp法成功地將pba接枝到多壁碳納米管(mwnt)表面。對pp/mwnt復合材料電性能研究表明,mwnt-pba的添加比mwnt-cooh更能降低復合材料的電阻率。mwnt-pba的加入可使pp從絕緣材料轉變為抗靜電材料。mwnt-pba和mwnt-cooh加入pp都能提高材料的電性能,而mwnt-pba比mwnt-cooh的作用更加明顯。

基于cds良好的光學性質和單壁碳納米管(swcnt)優異的電子學性質,制備了納米cds/swcnt復合材料和納米cds/聚乙烯亞胺(pei)功能化swcnt復合材料,并利用日光燈光源模擬太陽光研究了它們的光電性質.結果表明,納米cds/swcnt復合材料呈現顯著的負光電導現象,而納米cds/pei-swcnt復合材料呈現強烈的正光電導現象.用電子轉移理論對這一結果進行了解釋.兩樣品在大角度彎折的情況下,光電性質均基本沒有變化.因此,納米cds/碳納米管復合材料在光電領域,尤其是新興的柔性光電子學領域有著良好的應用前景.

首先采用顆粒復合法(pcs,particlecompositesystem)對cu-碳納米管(cnt)粉末進行表面改性處理,得到cnt鑲嵌或包覆于較軟微米cu顆粒表面的復合粉,其形貌近似球形,然后將復合粉通過sps燒結工藝制備成cu-2%(質量分數)cnt復合材料。通過硬度測試、密度測試、sem形貌觀察和能譜分析,研究了pcs處理時間對cu-2%cnt復合材料的組織和性能的影響并與普通混粉后的復合材料做了比較。結果表明,隨著pcs處理時間的延長,復合粉末粒徑不斷減小,在40min以后,隨時間的延長,粒徑基本保持不變。與純cu相比,經pcs處理后制備的cu-2%cnt復合材料硬度有26%~34%的提高,與普通混粉24h相比提高了20%~26%;cnt在銅基體中呈連通的網狀結構,復合材料的致密度達97%以上。

電子器件為了增加功能和縮小體積，不斷地往小型化發展。所用布線也越來越細。碳納米管就是適應這種需要，將一層石墨的碳二維層，制成筒狀，成為直徑為數rim到數＋nm的圓筒狀碳材料。日本產業技術綜合研究所山田健朗采用有機系銅鍍液，進行電解鍍，使碳納米結構體內部析出銅核子，再在氫氣氛下還原處理，最后用水溶性鍍銅也進行第二階段鍍銅，這樣就可以在碳納米管內部以及碳納米管之間都鍍上銅，

制備了丙烯酸鋅樹脂,對無氧化亞銅自拋光防污涂料的配方及防污性能、電化學性能、配套性能等進行了研究工作,表明該無氧化亞銅自拋光防污涂料具有良好的防污性能、底面漆配套性能等。

通過水熱合成方法制備了釩酸鉍(bivo_4)和多壁碳納米管/釩酸鉍(mwcnts/bivo_4)復合材料,用xrd、sem-edx、drs等技術對所制備的材料進行了表征。研究了在可見光照射下材料降解亞甲基藍溶液(mb)的光催化性能。當摻雜mwcnts后,增強了樣品對可見光的吸收能力,減小了催化劑的帶隙寬度,有利于提高bivo4復合材料在可見光下的光催化活性。在可見光照射下降解亞甲基藍溶液的光催化實驗表明,質量含量為10%mwcnts/bivo_4樣品的光催化活性最高,可見光照射3h對亞甲基藍溶液的降解率達91.8%,與純bivo_4相比,其光降解率約提高了近1倍。

對碳納米管(cnts)進行有機化處理后,采用原位聚合法制備了聚酰胺6(pa6)/cnts復合材料。研究了cnts的含量、溫度、頻率等因素對復合材料導電性能、介電性能和電磁屏蔽效能的影響。結果表明,隨著cnts含量的增加,復合材料的體積電阻率和表面電阻率均下降,最顯著情況分別下降了2、3個數量級;隨著溫度的升高,復合材料的介電常數增大,溫度為180℃、cnts含量為1.0%和2.0%的復合材料的介電常數分別為1660和2608;復合材料的介電損耗隨著溫度的升高而增大,增大趨勢隨cnts含量的增加而急劇減小;復合材料的介電常數和介電損耗隨著頻率的升高變化幅度增大,頻率在105.5～109hz范圍內復合材料有一定的電磁屏蔽效能,隨著頻率的增大,其電磁屏蔽效果急劇減小,109hz以上幾乎沒有電磁屏蔽效果。

碳納米管_聚酰亞胺功能復合材料的制備與性能研究

碳納米管從物理和化學方面都具有獨特性，它的應用范圍廣泛，從汽車防護零件到修飾電機，從氫氣的儲存到微波吸收等等，都得到了廣泛的應用。所以碳納米管的發現是材料學，工程制備的一個優秀成果。本文從碳納米管的發現，到對它的簡介，特性的應用以及目前存在的一些亟需解決的問題進行了闡述。并提出了對它未來發展的建議和展望。

采用原子轉移自由基(atrp)活性聚合方法在多壁碳納米管(mwnt)表面接枝丙烯酸丁酯聚合物(pba),并以此對聚丙烯(pp)進行改性。紅外光譜(ft-ir)及透射電子顯微鏡(tem)測試結果表明,采用atrp法成功地將pba接枝到多壁碳納米管(mwnt)表面。采用熔融共混法制備了pp/mwnt復合材料,對其力學性能和耐熱性能進行了研究,結果表明,接枝聚合物的碳納米管提高了復合材料的拉伸強度和沖擊強度,提高了pp的耐熱性。mwnt-pba和mwnt-cooh加入pp都能提高材料的性能,而mwnt-pba比mwnt-cooh的作用更加明顯。

碳納米管是一種一材多能和一材多用的功能材料和結構材料,尼龍/碳納米管復合材料具有優異的導電性、超強的力學性能和良好的導熱性,可望用于汽車、飛行器制造、電子機械等領域。對尼龍/碳納米管復合材料的制備方法、主要性能和應用進行綜述。

日本大阪大學與北海道大學共同研制成功碳納米管（cnt）均勻分散的純海棉鈦復合材料，在該材料中添加了0．35％（質量）的cnt，從而制得了抗拉強度高達930mpa的復合材料。首先將cnt置入含有界面活性劑的水溶液中，采取超聲波振動攪拌并使cnt分散。海棉鈦粉經過這種水溶液浸漬后取出，經熱處理除去水分和界面活性劑后制成燒結體并擠壓成材。

文章主要綜述了碳納米管/聚氯乙烯復合材料的制備,并對此類復合材料的應用前景進行展望。

在nh4f體系和hf體系中制備了碳納米管；研究了陽極氧化電壓和氧化時間對碳納米管生長、形貌和光催化性能的影響；并分析了其作用機理；結果表明；nh4f體系中；隨著氧化電壓的升高；形成的碳納米管的管長不斷增大；排列也更加致密；生長方向逐漸從部分垂直于基底轉化為全部垂直于基底；hf體系中；三種氧化電壓下的納米管都較為細密；沒有出現類似的竹節結構；相同氧化時間下的納米管也更長；無論是nh4f體系還是hf體系；氧化電壓為30v時制備的納米管具有最佳的光催化性能；

將二硫代酯化合物作為raft(可逆加成-斷裂鏈轉移反應)試劑,采用raft活性聚合方法在碳納米管表面接枝丙烯酸丁酯和馬來酸酐的共聚物,并制備了pc/碳納米管復合材料。利用ft-ir、tem表征接枝后的碳納米管,考察了碳納米管用量對pc/碳納米管復合材料的力學性能的影響,觀察了pc/碳納米管復合材料沖擊斷面形貌。結果表明,碳納米管表面接枝上了一層聚合物,pc/碳納米管復合材料的力學性能得到了改善。

高強高導銅基材料是一類有著廣闊應用前景的材料,將碳納米管作為增強相來制備銅基復合材料可以滿足其對于強度和導電性的要求。制備出性能優良的復合材料的關鍵是解決碳納米管的均勻分散及其與銅基體的界面結合問題。介紹了目前碳納米管增強銅基復合材料的制備工藝及其所取得的成績,并展望了將來的發展方向。

綜述了碳納米管增強銅基復合材料的預處理和制備方法,探討了復合材料的組織、力學性能與摩擦學性能、電學性能和熱學性能;最后指出了碳納米管增強銅基復合材料今后的研究方向。