多晶硅太陽能電池板規格及電性能參數表 型號 最大功 率 wp(w) 最佳工作 電壓 vm(v) 最佳工作 電流 im(a) 開路電壓 voc(v) 短路電流 isc(a) 硅片尺寸 (mm) 硅片 排列 玻璃尺寸 w*l*h(mm) 組件尺寸 w*l*h(mm) 安裝孔縱 向間距a 安裝孔 橫向間 距b 安裝孔 大小n 裝箱數 (pcs) 裝箱尺寸(mm) 重量 (kg) sun-5d5170.2921.50.3278*143*12321*178*3327*184*281261424-φ6.410370*228*3101.0 sun-10d10170.5921.50.6578*27.54*9350*295*3356*301*281503204-φ6.48426*390*3201.4

太陽能電池光電轉換原理主要是利用太陽光射入太陽能電池后產生電子電洞對，利用 p-n接面的電場將電子電洞對分離,利用上下電極將這些電子電洞引出，從而產生電流。整個 生產流程以多晶硅切片為原料，制成多晶硅太陽能電池芯片。處理工藝主要有多晶硅切片清 洗、磷擴散、氧化層去除、抗反射膜沉積、電極網印、燒結、鐳射切割、測試分類包裝等。 生產工藝主要分為以下過程： ⑴表面處理（多晶硅片清洗、制絨） 與單晶硅絨面制備采用堿液和異丙醇腐蝕工藝不同，多晶硅絨面制備采用氫氟酸和硝 酸配成的腐蝕液對多晶硅體表面進行腐蝕。一定濃度的強酸液對硅表面進行晶體的各相異性 腐蝕，使得硅表面成為無數個小“金字塔”組成的凹凸表面，也就是所謂的“絨面”，以增 加了光的反射吸收，提高電池的短路電流和轉換效率。從電鏡的檢測結果看，小“金字塔” 的底邊平均約為10um。主要反應式為： 32234hno4no

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多晶硅太陽能電池研究進展

利用最先進的光譜分析技術,并結合現有的高效太陽能電池,美國德拉瓦大學研制成功新型多晶硅太陽能電池,其光電轉化效率是目前最先進光伏太陽能電池的兩倍,美國政府正積極推進這項新技術的產業化。

多晶硅太陽能電池制作工藝概述 多晶硅太陽能制作工藝概述 摘要大規模開發和利用光伏太陽能發電,提高電池的光電轉換效率和降低生產成本是其核心 所 在，由于近十年人們對太陽電池理論認識的進一步深入、生產工藝的改進、ic技術的滲入和新電 池 結構的出現，電池的轉換效率得到較大的提高，大規模生產上，多晶硅電池的轉換效率已接近單 晶 硅電池，在非晶硅電池穩定性問題未取得較大進展時，多晶硅電池受到人們的關注，其世界產量 已 接近單晶硅，本文對目前多晶硅太陽電池的工藝發展分別從實驗室工藝和規模化生產兩個方面作 了 比較系統的描述。 1緒論 眾所周知，利用太陽能有許多優點，光伏發電將為人類提供主要的能源，但目前來講，要使太陽 能 發電具有較大的市場，被廣大的消費者接受，提高太陽電池的光電轉換效率，降低生產成本應該 是 我們追求的最大目標，從目前國際太陽電池的發展過程可以看出其發展趨勢為單晶硅、

大規模開發和利用光伏太陽能發電,提高電池的光電轉換效率和降低生產成本是其核心所在,由于近十年人們對太陽電池理論認識的進一步深入、生產工藝的改進、ic技術的滲入和新電池結構的出現,電池的轉換效率得到較大的提高,大規模生產上,多晶硅電池的轉換效率已接近單晶硅電池,在非晶硅電池穩定性問題未取得較大進展時,多晶硅電池受到人們的關注,其世界產量已接近單晶硅,本文對目前多晶硅太陽電池的工藝發展分別從實驗室工藝和規模化生產兩個方面作了比較系統的描述。

太陽能電池板規格表

深圳聚光能科技有限公司 tel:0755-29919483fax；0755-29923175手機:13760148649qq：1309685626涂生 網址:http://www.***.*** 地址：深圳市寶安區福永街道永和路雙金惠工業區b棟4樓 model number 尺寸：l*w*h (mm) 重量 (kg) 功率（wp)峰值電壓 vm(v) 峰值電流 im(a) 開路電壓 voc(v) 短路電流 isc(a) j-sm-01100*55*3.20.030.540.12550.137 j-sm001110*80*3.20.05160.1667.20.183 j-sm002135*135*3.20.1290.22110.24 j-sm003250*180*250.63180.1

單晶硅太陽能電池與多晶硅太陽能電池區別和共同點 單晶硅和多晶硅的區別是，當熔融的單質硅凝固時,硅原子以金剛石晶格排列成 許多晶核，如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒，則形成單晶硅。如果這些晶 核長成晶面取向不同的晶粒，則形成多晶硅。多晶硅與單晶硅的差異主要表現在 物理性質方面。例如在力學性質、電學性質等方面，多晶硅均不如單晶硅。多晶 硅可作為拉制單晶硅的原料。單晶硅可算得上是世界上最純凈的物質了，一般的 半導體器件要求硅的純度六個9以上。大規模集成電路的要求更高，硅的純度必 須達到九個9。目前，人們已經能制造出純度為十二個9的單晶硅。單晶硅是電 子計算機、自動控制系統等現代科學技術中不可缺少的基本材料。 多晶硅是制造單晶硅的原料。 單晶硅太陽能電池轉化的效率更高些！ 單晶硅與多晶硅的區別在于它們的原子結構排列單晶是有序排列多晶是 無序排列主要是有它們的

太陽能電池板電性能參數 鏈接：www.***.***/tech/7060.html 太陽能電池板電性能參數 電氣特性: 短路電流溫度系數：±0.05%℃ 開路電壓溫度系數：-0.33%℃ 功率溫度系數：-0.23%℃ 工作電流溫度系數：+0.08%℃ 工作電壓溫度系數：-0.33%℃ 環境溫度：±45℃ 最大系統電壓：1000v 絕緣系數：≥100mohm 擊穿電壓：ac2000v，dc3000v 抗風力系數：60m/s(200kg/sq.m) 耐沖擊冰雹撞擊系數：能承受227g鋼球從1m高掉下的撞擊 原文地址：http://www.***.***/tech/7060.html 頁面1

單晶硅太陽能電池板規格表 specificationsformono-crystallinesiliconsolarpanels 型號 modelno. 峰值功率pm maximum power(wp) 開路電壓voc opencircuit voltage(v) 短路電流isc shortcircuit current(a) 峰值電壓vmp maximum operating voltage(v) 峰值電流imp maximum operating current(a) 組件尺寸 長×寬×高 moduledimension h×w×d(mm) bl305m-243051956*992*50 bl300m-243001956*992*50 bl295m-242951956*992*50 bl290m-242

光伏組件（太陽能電池板）規格表 型號材料 峰值 功率 pm (watt) 峰值 電壓 vmp (v) 峰值 電流 imp (a) 開路 電壓 voc (v) 短路 電流 isc (a) 尺寸 (mm) apm18m5w27x27單晶硅58.750.5710.50.66265*265*25 apm36m5w27x27單晶硅517.50.2921.50.32265*265*25 apm18p5w27x27多晶硅58.750.5710.50.66265*265*25 apm36p5w27x27多晶硅517.50.2921.50.32265*265*25 apm36m8w36x30單晶硅817.50.4621.50.52301*356*25 apm36p8w36x30多晶硅817.50.

-1- 多晶硅太陽能電池光電轉換效率仿真研究 徐耀敏 武漢理工大學信息工程學院，湖北武漢（430070） e-mail：yaominxu@sina.com 摘要：本文結合多晶硅太陽能電池這一具有廣泛應用前景的太陽能電池光電轉換效率的影 響因素，在分析各因素對太陽能電池效率影響的基礎上，利用澳大利亞新南威爾士大學光伏 研究中心開發一維半導體仿真軟件pc-1d作為仿真模擬平臺，從仿真角度分析如何提高現有 多晶硅太陽電池的轉換效率，分析了設計太陽能電池的理論方法，為實際工業生產提供了可 靠的理論基礎，為進一步提高太陽能電池換轉效率，降低生產成本提供理論支持。 關鍵詞：多晶硅太陽能電池；pc-1d；轉換效率；影響因素；仿真 中圖分類號：tn304.1 1.引言 自1954年第一片太陽能電池問世以來，作為清潔能源的太陽能電池技術突飛猛進，太

精品文檔 精品文檔 光伏組件（太陽能電池板）規格表 型號 材料 峰值 功率 pm (watt) 峰值 電壓 vmp (v) 峰值 電流 imp (a) 開路 電壓 voc (v) 短路 電流 isc (a) 尺寸 (mm) apm18m5w27x27單晶硅58.750.5710.50.66265*265*25 apm36m5w27x27單晶硅517.50.2921.50.32265*265*25 apm18p5w27x27多晶硅58.750.5710.50.66265*265*25 apm36p5w27x27多晶硅517.50.2921.50.32265*265*25 apm36m8w36x30單晶硅817.50.4621.50.52301*356*25 apm36p8w36x30多晶硅

擴散方阻對多晶硅太陽能電池效率的影響

多晶硅太陽能電池畢業論文文獻翻譯中英文對照

夏普將上市模塊轉換效率達14．4％，用于日本國內住宅的多晶硅太陽能電池模塊“nd-191av”。在提高轉換效率的同時，還擴大了可在屋頂設置的范圍，與以前產品相比，屋頂可設置容量平均達1．5倍。高效率的實現，得益于表面電極結構的變更。太陽能電池的電極由較租的busbar電極和較細的finger電極構成。此次，將busbar電極從原來的2條增加到3條，同時還減小了所有電極的寬度。

用化學腐蝕方法織構多晶硅片表面,通過調整制程參數獲得腐蝕溫度分別為12℃、17℃、22℃、29℃的4組樣品,利用掃描電子顯微鏡(sem)分析化學腐蝕后多晶硅片表面狀態,通過反射譜的測試,分析了多晶硅片表面陷光效果,研究腐蝕溫度與后續各制程參數的關系。結果表明:隨著腐蝕溫度的升高,絨面反射率、鍍膜膜厚逐漸升高,開路電壓、填充因子逐漸增大,短路電流逐漸減小,最終確定了最佳的腐蝕溫度。

多晶硅太陽能電池的生產工藝流程

麻省理工學院（mit）科學家最近發明了可大幅提高多晶硅太陽能電池效率，同時維持低成本的方法。他們同時成立了一家名為1366的技術公司以將這項技術商業化。

<正>無錫尚德太陽能電力有限公司3年就使多晶硅太陽能生產能力達到50兆瓦,并實現了大規模多晶硅太陽能電池產品轉換效率最高達到16％的目標。這一跨越,將我國與世界的差距縮短了15年,生產總量世界排名第8位。