大功率IGBT模塊串聯動態均壓的研究
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4.7
絕緣柵雙極型晶體管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)的串聯使用是一種較為有效的提高耐壓的方法。作為電感儲能型脈沖功率系統中的主斷路開關,IGBT串聯組合會在開關的動作瞬間在各串聯模塊兩端出現動態不均壓的現象。工程應用中,各串聯IGBT柵極驅動信號的不同步是導致動態不均壓的主要原因。文中分別從負載側被動均壓和柵極側主動均壓對驅動信號的同步性補償作用進行了理論分析和實驗驗證,結果表明均可以達到很好的動態均壓效果。在此基礎上提出利用阻容二極管有源均壓法實現多個IGBT模塊的串聯應用,仿真驗證了該方法在3個IGBT串聯應用中的可行性。對工程實際應用具有一定的參考意義。
大功率IGBT模塊并聯使用中動靜態均流特性研究
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介紹了igbt擴容的并聯方法,分析了igbt模塊并聯運行時導致不均流的各種因素,提出了相應的解決措施,仿真分析結果證明了柵極電阻補償方法的有效性。
一種適用于大功率IGBT模塊串聯工作的新型驅動電路
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介紹了一種基于igd515ei構成的igbt串聯應用的驅動電路,能夠提供最大15a的驅動電流,采用光纖傳輸控制信號,解決了所有與mosfet和igbt有關的驅動、保護和電位隔離問題。應用結果表明,該驅動電路使用簡單、可靠,具有優良的驅動和保護性能,尤其是其聯合運用端口的設計非常適用于igbt的串聯使用。采用串聯igbt作為剛管調制器的放電開關,解決了單只igbt耐壓不夠的問題。文中還介紹了igbt柵極驅動電路和igbt電壓均衡電路的設計方法,并給出調制器的輸出波形。
大功率IGBT模塊變流器用水冷散熱器介紹
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實用標準 文案大全 大功率igbt模塊變流器用水冷散熱器介紹 水冷散熱器服務對象: ?各類型igbt模塊、晶閘管是在變頻、變流領域的實現變頻、變流功能的核心元器件。 ?水冷散熱器主要功能是對各類igbt變頻器型igbt模塊、晶閘管、以及部分電阻進行 水冷散熱保護。 為何需要散熱? ?單個大功率igbt模塊、晶閘管在工作中發熱量最大可達到2kw以上。 ?igbt中核心溫度在達到150°(新型180°)時將被燒毀,甚至爆炸。 ?必要對功率元件進行散熱保護! 工業運用中的散熱方式: 實用標準 文案大全 各種散熱形式效能比較: 基于對流換熱系數的不同散熱方案效果比較: 冷板工藝與分類介紹: 水冷板常用加工工藝分類: 實用標準 文案大全 ?埋管式 工藝: —折彎銅管或不銹鋼管 —鑄造工藝將水管埋入 —cnc外型加工 特點: —工藝簡單 —批量生產低成本 —性能低下
大功率IGBT晶體管牽引變流器
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介紹了龐巴迪運輸裝備公司(bombardiertransportation)生產的mitractc3300大功率牽引變流器及其變型產品的結構、工作原理以及在不同種類機車上的應用情況。
大功率IGBT晶體管牽引變流器
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介紹了龐巴迪運輸裝備公司(bombardiertransportation)生產的mitractc3300大功率牽引變流器及其變型產品的結構、工作原理以及在不同種類機車上的應用情況。
基于結構函數的大功率IGBT熱阻測量方法
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基于結構函數理論,對同一管殼與基板的不同界面熱性能進行研究,發現積分結構函數曲線出現分離,通過分離點可確定igbt模塊內部pn結與基板外殼之間的熱阻值;通過此方法,還可確定同一管殼采用不同接觸面材料的熱特性,并可依此對igbt所用涂覆導熱材料進行選型。研究表明,結構函數理論是分析大功率igbt器件熱特性的一種有效方法。
IGBT模塊的檢測方法
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測試方法(晶川):萬用表只能測量不全面:若igbt損壞一般可以測 出;但是若igbt是好的,它無法肯定是好的。 igbt損壞:ge,eg,ce,gc,cg任意一組出現二極管檔有讀數,即損壞。 (ge表示g接正表筆,e接負表筆;其他雷同) igbt的ec之間接有二極管,所以為導通態,電壓為0.34v左右。 若想完整測試igbt需要用晶體管圖示儀。 igbt損壞:ge,eg,ce,gc,cg任意一組出現電阻檔有讀數,即損壞。(ge 表示g接正表筆,e接負表筆;其他雷同) 新igbt 紅表筆-黑表筆電阻檔二極管檔 1-2無窮大斷路 2-1無窮大斷路 4-3無窮大斷路 3-4無窮大斷路 8-10無窮大斷路 10-80.447mω0.324 9-8無窮大斷路 8-90.448mω0.324 5-4無窮大斷路 4-5無窮
IR發布低溫高速隔離式IGBT模塊
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國際整流器公司推出全新mtp隔離式開關模塊系列,專為大電流工業電源而設計,適用于高頻弧焊機及不間斷電源。它以氮化鋁陶瓷層進行絕緣,在結點與外殼間發揮更佳導熱性能。該絕緣層的熱傳導性(冷卻能力)比用于同類器件的氧化鋁基板高出7倍之多。新模塊系列的額定電壓為600v和1200v,把高速igbt和優化的二極管結合在同一封裝內,有助于節省空間和降低組裝成本,可取代分立式解決方案。在該系列器件中,50mt060uls是一款全絕緣低側斬波模塊,內含一個ir超快igbt和一個具超軟逆恢復電流特性的hexfred二極管;50mtobowh是一款全絕緣半橋式模式,雙igbt設計可有效控制功率耗散和電流分配。此外,ir還提供兩款1200vmtp開關模塊:全絕緣的20mt120uf全橋式及40mt120uh半橋式模塊。它們可直接連接到大多數三相系統的直流總線。
大功率雙功率模塊測量與控制電路
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大功率igbt(絕緣柵雙極晶體管)在現代廣播、雷達發射機,特別是全固態調制器、高壓開關電源中得到廣泛應用。本文介紹了一種用于大功率psm短波發射機全固態調制器的雙功率模塊測量與控制電路,該雙功率模塊控制采用微處理器和可編程邏輯芯片設計,因此具有工作電壓低、損耗小等特點。
大功率電源模塊的散熱設計
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大功率電源模塊的散熱設計 摘要:用傳統的熱設計理論及經驗公式對電源模塊內的四個50w大功率管進行了散熱設計,應用熱分 析軟件icepak對理論計算進行了校核,并對方案進行了優化設計。 關鍵詞:功率管散熱;散熱器;熱分析軟件;icepak 1引言 電源模塊內有四個功率管(在同一平面上,分成兩排),其兩兩間距為60mm,管徑φ20mm,每一功率 管的發熱功率為50w。周圍環境溫度:+50℃。要求設計一150mm×200mm的平板肋片式散熱器。?? 根據熱設計基本理論,功率器件耗散的熱量為: 式中,δt為功率管結溫與周圍環境溫度之差,℃;rt為總熱阻,℃/w。 其中,rtj為功率管的內熱阻;rtp為器件殼體直接向周圍環境的換熱熱阻;rtc為功率管與散熱器安裝面之間 的接觸熱阻;rtf為散熱器熱阻。旨在盡量減小rtc和r
2.5kA/1.2kV兩單元IGBT模塊
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介紹一種工業用2.5ka/1.2kv兩單元igbt模塊。在該大電流器件中,p端到n端的內部連線電感非常小。半導體硅片的巧妙布局有效地提高了模塊的散熱能力,采用鋁底板直接連接絕緣基板來提高熱循環能力。對于這種底板面積較大的器件,為了獲得更好的底板和散熱片之間的熱接觸,底板被分成幾段。2.5ka/1.2kv兩單元igbt模塊的封裝同樣適用于1.8ka/1.7v兩單元igbt模塊。
3.3kV IGBT模塊驅動設計分析
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英飛凌公司生產的3.3kvigbt模塊已被客戶廣泛使用,其驅動電路的設計在許多方面都有別于1.7kv和1.2kvigbt模塊,文章對該驅動電路的設計細節進行分析,以助于更好地應用該款igbt模塊。
基于大功率逆變器IGBT開關瞬態電壓、電流波形的雜散參數抽取方法
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由于線路雜散電感的存在,igbt(insulatedgatebipolartransistor)開通關斷時將在開關管兩端產生電壓尖峰。為了研究其的影響,需要對線路雜散電感進行抽取。為此,本文提出一種基于igbt開關瞬態電壓、電流波形的雜散參數抽取方法。在igbt的開通過程中,考慮了igbt反并聯二極管的反向恢復過程,并且利用由該過程引起電壓尖峰進行線路的雜散電感的抽取;在igbt的關斷過程中,通過對關斷波形進行了更詳細的分析,給出更精確的線路雜散電感的抽取方法。最后,將該方法應用于一臺75kva的單相逆變器,實驗結果證明了本方法的有效性與正確性。
RGBW全彩大功率LED
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copyright?2012aptelectronicsltd. allrightsreserved. 內容更新恕不另行通知. 晶科電子(廣州)有限公司www.***.*** 廣州市南沙區環市大道南33號 tel:020-34684299fax:020-346849771 apt-pak-ds37v2.0. 目錄 產品特點...................................................................................................................................................................1 產品介紹...........................................
808nm大功率半導體激光器光纖耦合模塊系統
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根據808nm大功率半導體激光列陣(lda)的遠場光場的分布特點,利用多模光纖柱透鏡和光束轉換裝置對808nm半導體激光列陣的發散角進行壓縮整形,通過聚焦準直透鏡將激光束耦合進入芯徑為400μm的光纖,實現了30w的功率輸出,其中最大耦合效率大于80%,光纖的數值孔徑(na)為0.22。通過分析其輸出光斑和輸出曲線,表明lda與光纖耦合系統不僅從各個方向同時壓縮了激光束的發散角,有效地實現了對激光束的整形、壓縮,而且性能穩定,可靠實用。
模塊化高精度大功率高壓電源并聯技術
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模塊化高精度大功率高壓電源并聯技術 呂富勇1,李永新1,王 芹2,金 江3,劉 偉1 (1.南京理工大學機械工程學院,南京210094;2.南京航空航天大學材料科學與技術學院,南京210016; 3.華中科技大學電子與信息工程系,武漢430074) 摘 要:為實現多模塊大功率高壓電源均流并聯擴容技術,用固定相對相位偏移的脈沖頻率調制法,將多個高壓 大功率串聯諧振逆變模塊并聯;并通過優化控制補償網絡設計及合理接地設計,解決并聯系統自激和高壓打火損 壞控制電路難題。實驗表明用該法實現高壓電源的模塊化并聯擴容,簡單可靠且并聯模塊越多電源紋波水平越 小;無需內置電流控制環,模塊間也能得到滿意的均流效果;在脈沖負載和電阻負載條件下,均具有好的動態特性。 關鍵詞:并聯;均流;固定相位偏移;串聯諧振;高壓
用于IGBT模塊熱界面的金屬軟合金
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美國銦公司為infineonyectmologiesag專門設計了用于primepackigbt模塊的heat-spring金屬熱界面材料。heat-spring是柔軟的金屬銦粗加工產品,可壓縮、可用于不規則的安裝表面、不含硅樹脂、無需脫氣、無需pump-out,可與熱油脂和其他粘性材料同時使用。
電壓源換流器中IGBT串聯動態均壓新方法
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由動態電壓不均衡引起的器件擊穿致使串聯失敗是串聯的關鍵問題。傳統無源緩沖電路是以犧牲絕緣柵雙極晶體管(igbt)快速性換取電壓均衡,igbt損耗大。建立功率端與驅動端反饋的新型剩余電流動作保護器(rcd)動態均壓電路替代傳統無源緩沖電路,對電路的均壓效果和串聯igbt開關損耗進行仿真分析。試驗驗證了該動態均壓電路在igbt串聯運行時能很好地抑制其驅動信號不同步造成的動態電壓不均衡,確保了電壓源換流器的安全運行。
高頻大功率開關電源并聯均流模塊的閉環控制??
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本文分析了開關電源并聯均流的閉環控制,通過閉環控制的理論分析,提出了閉環控制的規則,有利于提高系統的穩定性。
一種IGBT專用驅動電源模塊的設計方案
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4.4
介紹了一款針對igbt的使用特點而設計的開關電源,專為igbt驅動芯片供電。重點分析了igbt工作的特點,及對供電電源的特殊要求,以及如何設計一款適用于igbt工作系統的電源模塊,并給出了實測參數。
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職位:安全資料員
擅長專業:土建 安裝 裝飾 市政 園林