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更新時間:2025.05.10
ESDBV5V0F1

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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-02C Plastic-Encapsulate Diodes ESDB V5V0F1 ESD Protection Diode (1.0*0.6*0.5) unit:mm DESCRIPTION The ESDB V5V0 F1 is designed to protect voltage sensitive components from ESD. Excellent clamping capability, low leakage, and fast response time provide best in class protection on designs that are exposed to ESD. Because of its small s

關(guān)于LED單燈正向電壓V_F不良的探討

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文章基于LED芯片和LED單燈的工作原理和制程工藝,探討了LED芯片封裝以后正向電壓VF升高和降低的常見原因,并提出了改善措施。對于GaN基雙電極芯片,由于芯片工藝制程或后續(xù)封裝工藝因素,造成芯片表面鍍層(ITO或Ni/Au)與P-GaN外延層之間的結(jié)合被破壞,歐姆接觸電阻變大。對于GaAs基單電極芯片,由于封裝材料和工藝因素,導(dǎo)致芯片背金(N-electrode)與銀膠,或銀膠與支架之間的接觸電阻變大,從而LED正向電壓VF升高。LED正向電壓VF降低最常見的原因為芯片PN結(jié)被ESD或外界大電流損傷或軟擊穿,反向漏電過大,失去了二極管固有的I-V特性。

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