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微電子技術的發展促進了硅傳感器的加工工藝水平的提高,使硅傳感器獲得良好的一致性、穩定性和可靠性,而半導體的溫度特性使硅壓力傳感器的零點和靈敏度隨溫度而發生漂移。針對硅壓阻式壓力傳感器這一"弱點",介紹一種基于壓力芯片的惠斯頓電橋建立外接電阻補償網絡的數學模型,利用MatLab優化工具箱提供的優化方法構建算法,對補償電阻求解,實現對溫度漂移的補償。該方法更有助于基于硅壓阻式壓力芯片的OEM型產品的大規模量產。
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F-P式光纖壓力傳感器因其獨有的優點廣泛應用于軍事、民用領域。由于自身結構的關系,F-P式光纖壓力傳感器的性能受溫度影響較大。本文通過對中空F-P式光纖壓力傳感器制作過程中相關參數的設計計算,對如何實現傳感器自身的溫度補償設計進行了探索性研究。
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