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研究了金屬網柵結構參數對其光電特性的影響,并通過工藝實驗結果測試,驗證了分析計算成果。實驗采用清洗、涂膠、光刻、顯影、鍍膜、去膠、電鍍工藝流程,并用激光直寫曝光代替掩模投影曝光。在MgF2 基底上制作出線寬7μm,周期400μm的金屬網柵,在3~5μm波段上透過率大于 75%(基底透過率為83%)、電磁屏蔽效率大于8 dB。結果表明:采用等效電路模型分析雷達波垂直入射時金屬網柵屏蔽效率;用等效膜理論分析斜入射對屏蔽效率的影響是有效和簡便的,通過遮攔比分析中心零級能量變化來說明金屬網柵對紅外透過的影響;金屬網柵的光電特性的矛盾可以通過減小網柵線寬與周期的比值來解決,網柵周期與屏蔽波段密切相關,因此減小線寬對于滿足其光電性能要求更為重要。