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發光 LED 的原理及特性詳解 （一） LED 發光原理 -Ⅳ族化合物，如 GaAs（砷化鎵）、GaP（磷化鎵）、GaAsP（磷砷化鎵）等半導體制成的，其核 心是 PN 結。因此它具有一般 P-N 結的 I-N 特性，即正向導通，反向 有發光特性。在正向電壓下，電子由 N 區注入 P區，空穴由 P區注入 N 區。進入對方區域的少數載流子（少子）一部 分與多數載流子（多子）復合而發光，如圖 1所示。 假設發光是在 P 區中發生的，那么注入的電子與價帶空穴直接復合而發光，或者先被發光中心捕獲后，再與空穴復合 發光。除了這種發光復合外，還有些電子被非發光中心（這個中心介于導帶、介帶中間附近）捕獲，而后再與空穴復 合，每次釋放的能量不大，不能形成可見光。發光的復合量相對于非發光復合量的比例越大，光量子效率越高。由于 復合是在少子擴散區內發光的，所以光僅在靠近 PN 結面數 μm 以內產生。理論和實
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2012年4月17日,日本知名半導體制造商羅姆株式會社近日面向移動設備和娛樂設備等,成功開發出1.8 mm×1.6 mm小尺寸的小型高亮度反射型3色發光貼片LED＂MSL0301RGBW＂、＂MSL0401RGBW＂。3色發光型LED是在同一個封裝中內置光的三原色RGB發光元件，可實現包括白色在內的全彩發光。
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