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異質結光敏晶體管(HPT)是一種具有內部電流增益的光電探測器,且與異質結雙極晶體管(HBT)的制作工藝完全兼容。利用超高真空化學氣相淀積(UHV/CVD)方法在HBT晶體管的基區和集電區間加入多層Ge量子點材料作為光吸收區。TEM和DCXRD測試結果表明,生長的多層Ge量子點材料具有良好的晶體質量。為了提高HPT的發射極注入效率,采用高摻雜多晶硅作為發射極,并制作出兩端HPT型Ge量子點探測器。室溫條件下的測試結果表明,HPT型量子點探測器具有低的暗電流密度和高的反向擊穿電壓。-8 V偏壓下,HPT型量子點探測器在1.31μm和1.55μm處的響應度分別為4.47mA/W和0.11 mA/W。與縱向PIN結構量子點探測器相比,HPT型量子點探測器在1.31μm和1.55μm處的響應度分別提高了104倍和78倍。