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LED發光二極管 半導體發光器件包括半導體發光二極管（簡稱 LED）、數碼管、符號管、米字管及點陣式 顯示屏（簡稱矩陣管）等。事實上，數碼管、符號管、米字管及矩陣管中的每個發光單 元都是一個發光二極管。 一、 半導體發光二極管工作原理、特性及應用 （一） LED發光原理 發光二極管是由Ⅲ -Ⅳ族化合物，如 GaAs（砷化鎵）、 GaP（磷化鎵）、GaAsP（磷砷 化鎵）等半導體制成的，其核心是 PN結。因此它具有一般 P-N結的 I-N 特性，即正向導 通，反向 截止、擊穿特性。此外，在一定條件下，它還具有發光特性。在正向電壓下， 電子由 N區注入 P區，空穴由 P區注入 N區。進入對方區域的少數載流子（少子）一部 分與多數載流子（多子）復合而發光，如圖 1所示。 假設發光是在 P區中發生的，那么注入的電子與價帶空穴直接復合而發光，或者先被發 光中心捕獲后，再與空穴復合發光。 除了這種發光
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LED發光二極管 半導體發光器件包括半導體發光二極管（簡稱 LED）、數碼管、符號管、米字管及點陣式 顯示屏（簡稱矩陣管）等。事實上，數碼管、符號管、米字管及矩陣管中的每個發光單 元都是一個發光二極管。 一、 半導體發光二極管工作原理、特性及應用 （一） LED發光原理 發光二極管是由Ⅲ -Ⅳ族化合物，如 GaAs（砷化鎵）、 GaP（磷化鎵）、GaAsP（磷砷 化鎵）等半導體制成的，其核心是 PN結。因此它具有一般 P-N結的 I-N 特性，即正向導 通，反向 截止、擊穿特性。此外，在一定條件下，它還具有發光特性。在正向電壓下， 電子由 N區注入 P區，空穴由 P區注入 N區。進入對方區域的少數載流子（少子）一部 分與多數載流子（多子）復合而發光，如圖 1所示。 假設發光是在 P區中發生的，那么注入的電子與價帶空穴直接復合而發光，或者先被發 光中心捕獲后，再與空穴復合發光。 除了這種發光
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