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雙向可控硅及其觸發電路 雙向可控硅是一種功率半導體器件， 也稱雙向晶閘管， 在單片機控制系統中， 可作為功 率驅動器件， 由于雙向可控硅沒有反向耐壓問題， 控制電路簡單， 因此特別適合做交流無觸 點開關使用。 雙向可控硅接通的一般都是一些功率較大的用電器， 且連接在強電網絡中， 其 觸發電路的抗干擾問題很重要， 通常都是通過光電耦合器將單片機控制系統中的觸發信號加 載到可控硅的控制極。 為減小驅動功率和可控硅觸發時產生的干擾， 交流電路雙向可控硅的 觸發常采用過零觸發電路。 （過零觸發是指在電壓為零或零附近的瞬間接通， 由于采用過零 觸發，因此需要正弦交流電過零檢測電路） 雙向可控硅分為三象限、四象限可控硅，四象限可控硅其導通條件如下圖： 總的來說導通的條件就是： G極與T1之間存在一個足夠的電壓時并能夠提供足夠 的導通電流就可以使可控硅導通，這個電壓可以是正、負，和 T1、T2之間的電流
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低觸發電壓的可控硅結構保護電路設計的詳細介紹 低觸發電壓的可控硅 ESD 保護結構的設計 摘要：當前的集成電路設計中大量采用了可控硅的設計結構來進行 ESD 的保護，但是一 般的 SCR 保護結構很難滿足現在低電壓，以及一些特殊要求的集成電路 ESD 保護的要 求。研究一種低觸發電壓的可控硅結構保護電路，通過和工藝寄生參數的結合，滿足了低 觸發電壓的設計要求。 關鍵詞：集成電路設計；靜電保護；可控硅結構；觸發電流 1 引言 靜電放電（ ESD）對 CMOS 集成電路的可靠性構成了很大威脅 [1]。隨著集成電路設計水 平的提高和應用領域的擴大，對于 CMOS 集成電路來說，由于特征尺寸較小，電源電壓 較低，ESD 保護僅僅采用傳統的二極管結構已經不能滿足要求。 目前廣泛使用的 ESD 保 護電路中，可控硅（ SCR）結構具有單位面積下最高的 ESD 保護性能 [2]，同時具有很好 的大電流特
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