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采用同軸靜電紡絲技術,以硝酸鋅、正硅酸乙酯(C8H20O4Si)、無水乙醇、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)和N,N-二甲基甲酰胺(DMF)為原料,成功制備出大量的ZnO@SiO2同軸納米電纜。用TG-DTA,XRD,SEM,TEM,FTIR等分析技術對樣品進行了表征。結果表明,得到的ZnO@SiO2同軸納米電纜的殼層為無定型SiO2,厚度為50nm,芯軸為晶態ZnO,電纜直徑為300~450nm,長度大于300μm。探討了ZnO@SiO2同軸納米電纜的形成機理。
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采用同軸靜電紡絲技術,以硝酸鈰、硝酸鋅、聚乙烯吡咯烷酮、N,N-二甲基甲酰胺、甘油和氯仿為原料,制備了ZnO@CeO2同軸納米電纜.用差熱-熱重分析、X射線衍射、掃描電鏡、透射電鏡和能譜儀對樣品進行了表征.結果表明,所得產物為ZnO@CeO2同軸納米電纜,以晶態CeO2為殼層,晶態ZnO為芯層,電纜直徑約90 nm,芯層直徑約60 nm,殼層厚度約15 nm,電纜長度大于300μm,并分析了其形成機理.
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