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更新時間:2025.07.05
尺寸及版圖設計對集成電路差分放大器性能的影響

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CMOS差分放大器是現代集成電路設計中一個非常重要的電路結構.由于CMOS差分放大器對其版圖設計以及晶體管尺寸非常敏感,CMOS差分放大器設計是模擬電路設計的一個難題.本文利用PowerchipSemiconductorCorp的L110-N工藝實現了不同結構以及不同尺寸的CMOS差分放大器的電路圖和版圖設計,并利用HSPICE對這些設計進行了后仿真,得到了不同尺寸和版圖結構下性能對比結果,對相關領域集成電路設計有很好的指導意義.

基于納米工藝的數字集成電路電源版圖設計

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在納米工藝的數字集成電路電源版圖設計中,根據芯片布局合理進行電源布局、電源個數以及電源布線等方面設計,確保每一個電壓域都有完整的電源網絡。在電源分析時從電壓降、功耗及電遷移評估分析,使設計好的電源網絡符合電源預算規劃。在可靠性設計時采取布線優化、添加去耦電容、優化封裝設計等方法,提高電源抗干擾能力,從而降低電壓降、提高電源的完整性和可靠性。

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