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設計了一種采用金屬支架直接導熱的大功率紅外發光二極管封裝結構。該封裝結構通過增加芯片底部金屬座的厚度和尺寸,有效改善了散熱性能,降低了封裝熱阻。實驗測量表明,大功率紅外發光二極管峰值波長為850nm,發光束角10°,典型輸入功率為0.5W,最大輸入功率可以達到2W以上,最大電光轉換效率可達37.82%,最大輻射功率達到415.25mW。
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LED發光二極管 半導體發光器件包括半導體發光二極管（簡稱 LED）、數碼管、符號管、米字管及點陣式 顯示屏（簡稱矩陣管）等。事實上，數碼管、符號管、米字管及矩陣管中的每個發光單 元都是一個發光二極管。 一、 半導體發光二極管工作原理、特性及應用 （一） LED發光原理 發光二極管是由Ⅲ -Ⅳ族化合物，如 GaAs（砷化鎵）、 GaP（磷化鎵）、GaAsP（磷砷 化鎵）等半導體制成的，其核心是 PN結。因此它具有一般 P-N結的 I-N 特性，即正向導 通，反向 截止、擊穿特性。此外，在一定條件下，它還具有發光特性。在正向電壓下， 電子由 N區注入 P區，空穴由 P區注入 N區。進入對方區域的少數載流子（少子）一部 分與多數載流子（多子）復合而發光，如圖 1所示。 假設發光是在 P區中發生的，那么注入的電子與價帶空穴直接復合而發光，或者先被發 光中心捕獲后，再與空穴復合發光。 除了這種發光
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