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更新時間:2025.07.05
高密度Schlumberger

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1 一、概述 高密度電阻率法是集電剖面和電測深為一體采用高密度布點(diǎn), 進(jìn) 行二維地電斷面測量的一種電阻率法勘查技術(shù)。 由于它提供的數(shù)據(jù)量 大,信息多,并有觀測精度高,速度快和探測深度較大等特點(diǎn),因此 在工程地質(zhì)和水文地質(zhì)勘查中有著廣闊的應(yīng)用前景。 為了充分發(fā)揮高密度電阻率法解決地質(zhì)問題的能力, 我公司研制 成功了“四電極電法系統(tǒng)”的新型高密度電阻率法儀器—— RIS-2D 分布式高密度電法儀。 該儀器標(biāo)準(zhǔn)配置為 60道轉(zhuǎn)換開關(guān),性能優(yōu)越, 可靠性極高。 二、技術(shù)指標(biāo) 主機(jī)部分: 1、輸入阻抗大于 100MΩ。 2 、電壓測量范圍:± 4V;精度優(yōu)于± 0.3% ; 分辨率 1μV。 3、 電流測量范圍:± 2A;精度優(yōu)于± 0.5% ; 分辨率 1μA。 4、主機(jī)最大供電電壓: 600V。 5、 主機(jī)最大供電電流:± 2A。 6、測量電位、電流、電阻率精度均在± 2%±1個字。 7、

鈰摻雜高密度硼硅酸鹽玻璃光譜性質(zhì)研究

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實(shí)驗(yàn)制備了一種密度為5.2 g.cm-3的高密度鈰離子摻雜硼硅酸鹽閃爍玻璃,該玻璃具有較高的析晶穩(wěn)定性。測試了該閃爍玻璃的激發(fā)和發(fā)射光譜,其峰值波長分別對應(yīng)于325和385 nm,斯托克斯位移為60 nm。當(dāng)氧化鈰摻雜濃度小于1%(質(zhì)量分?jǐn)?shù))時,325 nm激發(fā)下的發(fā)射光譜強(qiáng)度隨濃度的增加而提高,而摻雜濃度的進(jìn)一步提高,由于三價態(tài)鈰離子的自吸收等吸收猝滅效應(yīng)導(dǎo)致380 nm的發(fā)射強(qiáng)度出現(xiàn)嚴(yán)重降低。摻雜1%(質(zhì)量分?jǐn)?shù))的玻璃樣品經(jīng)245Gy的伽馬射線輻照后,其可見波段的透過率并未出現(xiàn)明顯降低,說明該玻璃具有較好的耐輻照性能。

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