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MOS 管的構造及 MOS 管種類和結構 隨著社會的進步和發展， MOS 管在電子行業的應用越來越廣泛，薩科微電子 SLKOR 作為能夠研發生產碳化硅 SiC 產品的“碳化硅專家”，必須來科普一下這方面的知 識。 MOS 即 MOSFET 的簡寫，全稱是金屬氧化物場效應晶體管。 就是利用輸入回路的電場效 應來控制輸出回路電流的一種半導體器件。 MOS 管的構造、原理、特性、符號規則和封 裝種類等，大致如下。 1、MOS 管的構造： MOS 管的構造是在一塊摻雜濃度較低的 P 型半導體硅襯底上，用半導體光刻、擴散工藝 制作兩個高摻雜濃度的 N+區，并用金屬鋁引出兩個電極，分別作為漏極 D 和源極 S。然 后在漏極和源極之間的 P型半導體表面復蓋一層很薄的二氧化硅（ Si02）絕緣層膜，在再 這個絕緣層膜上裝上一個鋁電極，作為柵極 G。這就構成了一個 N 溝道（NPN 型）增強 型 MOS 管
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1.共源放大器： 0V C3 10u RL 40k 0A 0V RD 50k 90.49uA 0V C1 10u Vsig 1Vac 0Vdc 0A 0V V2 5Vdc 90.49uA C2 10uM1 M2N6659 0A 90.49uA 0 0V 0 i 0V RG 10MEG 0A 0 0 475.4mV Rsig 1MEG0A 0 Vo -1.833V V1 5Vdc 90.49uA Vi 5.000V RS 35k 90.49uA 由圖可知 MOS管偏置點電壓 VGS=1.833V ,電流 ID=90.49uA ， 由 output 中 的數據知 Vt=1.8V . Ro=3.5M Ω可求得跨 導 gm=2ID/(VGS-Vt)=5.484mA/V. 可 求 增 益 Gv=gm*(Ro||RD||RL ） *RG/(RG+Rsig)=109.09V/V; Av=gm*(Ro|
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