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采用熔融態的KOH對AlGaInP基紅光LED外延片進行了表面粗化處理。研究了粗化溫度、粗化時間對LED外延片表面形貌的影響,并利用原子力顯微鏡(AFM)、半導體芯片自動測試系統對LED器件的相關性能(形貌、I-V特性曲線、亮度和主波長)進行了表征。比較了粗化前后的LED亮度和電流特性變化。測試結果表明:利用熔融態的KOH對AlGaInP基紅光LED外延片進行表面粗化可以有效地抑制光在通過LED表面與空氣接觸界面時產生的全反射,得到性能更好的器件。實驗結果顯示,采用熔融態KOH,在粗化溫度為200℃、粗化時間為8min時,能使制作的紅光LED外延片發光效率提高30%。
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